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本文利用第一性原理和准谐近似的方法研究了一系列钛酸盐烧绿石,即RE2Ti2O7(RE=Gd,Y,Ho,Er)的结构、机械性能及热学性质。研究结果表明,在基态下RE2Ti2O7具有良好的抗压、抗剪切能力。并且,由于这些化合物的齐纳指数接近于1,可近似地看作各向同性材料。此外,计算得到的热膨胀系数在高温区与实验值符合得较好。在500~1 500 K温度区间内,平均热膨胀系数为(10.4~13.1)×10-6 K-1。基于Slack模型,我们还计算了这些材料的晶格热导率,当温度等于1 000 K时,这四种物质的热导率在区间(1.5~4.9)W·m-1·K-1内。 相似文献
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加工中心是高效自动化设备,为了充分利用机床的高效率、高精度、高自动化等特点,所以要考虑和了解影响加工中心加工精度的因素。 相似文献
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以多种取代苯甲酸为原料,通过酰化、醇解、肼解、亲核加成、脱水、亲核取代等多步反应,合成了16个未见文献报道的含1,3,4-噻二唑杂环的甲氧基丙烯酸酯类化合物,其结构均通过1H NMR,IR,MS,HRMS等予以表征确认,并对所有化合物进行了离体杀菌活性测试.结果表明:对水稻立枯和棉花枯萎病菌的防效好于番茄晚疫病菌,对西瓜炭疽病菌防效显著,其中化合物5a~5c,5g,6a~6c的抑制率均高于嘧菌酯,5g在100μg/mL下抑制率为77.5%. 相似文献
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首先采用分子动力学方法研究了在钨中预存氦-空位团簇(HenV22)后氦原子结合能与氦-空位比的关系。研究发现:当氦-空位比小于4.5时,氦原子结合能随氦-空位比呈线性减小趋势;当氦-空位比大于4.5时,氦原子的结合能随氦-空位比出现剧烈振荡的现象,这种现象是由于钨中预存氦-空位团簇随机挤出位错环使体系能量骤降所导致的。与此同时,氦-空位团簇周围出现了一些处于亚稳态的fcc结构和hcp结构的钨。为了研究氦团簇周围压强对钨基体相变的影响,本文利用第一性原理对钨的三种结构进行了高压相变计算,发现静水压力不能使钨的三种结构互相转变。另外,通过对bcc钨和fcc钨中四面体间隙氦原子和八面体间隙氦原子电荷密度差的计算,发现bcc钨中四面体间隙氦原子的稳定性高于八面体间隙氦原子的稳定性,而在fcc钨中四面体间隙氦原子的稳定性弱于八面体间隙氦原子的稳定性。 相似文献
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用户宏程序由于允许使用变量、算术和逻辑运算及条件转移,使得编制相同加工操作的程序更便捷,如固定加工循环宏程序。使用时,加工程序可用1条简单指令调出用户宏程序,这和调用子程序完全一样。 相似文献
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芳亚甲基硝基缩氨基胍类化合物的合成及杀虫活性 总被引:1,自引:0,他引:1
依据活性亚结构拼接原理, 以硝基胍为原料, 合成了一系列具有新烟碱类和缩氨基脲类杀虫剂共同结构特征的芳亚甲基硝基缩氨基胍类化合物, 其结构通过1H NMR、 IR和元素分析等方法进行了确证. 杀虫活性测定结果表明, 在600 μg/mL浓度下, 目标化合物对桃蚜[Myzuspersicae(Sulzer)]具有较优异的活性, 其中化合物4-2, 4-8, 4-10, 4-16, 4-27, 4-31和4-34的校正死亡率均在90%以上. 进一步以桃蚜、 棉蚜(Aphis gossypii)和桃粉蚜(Hyalopterusamygdali blanchard)为对象, 测定了化合物4-2, 4-8和4-34的精密毒力. 结果表明, 它们在低浓度下仍然具有很高的活性, 其中化合物4-8对棉蚜的活性甚至优于对照药剂吡虫啉, 在3.13 μg/mL浓度下致死率仍高达95.7%(吡虫啉为79.4%), 具有进一步研究开发的价值. 相似文献
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本文利用第一性原理和准谐近似的方法研究了一系列钛酸盐烧绿石,即RE_2Ti_2O_7(RE=Gd,Y,Ho,Er)的结构、机械性能及热学性质。研究结果表明,在基态下RE_2Ti_2O_7具有良好的抗压、抗剪切能力。并且,由于这些化合物的齐纳指数接近于1,可近似地看作各向同性材料。此外,计算得到的热膨胀系数在高温区与实验值符合得较好。在500~1 500 K温度区间内,平均热膨胀系数为(10.4~13.1)×10~(-6)K~(-1)。基于Slack模型,我们还计算了这些材料的晶格热导率,当温度等于1 000 K时,这四种物质的热导率在区间(1.5~4.9)W·m~(-1)·K~(-1)内。 相似文献
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钨(W)是潜在的聚变堆面向等离子体材料.聚变反应中产生的氦(He)不溶于金属W,并在其中易聚集形成He泡,使W基体发生脆化,从而导致W基体的性能发生退化.在前人工作的基础上,本文采用分子动力学研究了He泡在单晶bcc-W中以及bcc-W中∑3[211](110)和∑9[110](411)晶界处He泡形核长大初期的演化过程.结果发现,晶界处He泡的长大机制和单晶W中有所不同.单晶W中He泡通过挤出位错环促进长大.而He泡在∑3[211](110)晶界处的长大机制为:首先挤出并发射少量自间隙W原子,而后挤出1/2⟨111⟩位错线,随后,该位错线会沿晶界面上[111]方向迁移出去;在∑9[110](411)晶界处,He泡在我们的模拟时间尺度范围内没有观察到W自间隙子的发射和位错的挤出. 相似文献
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