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测量了15~300K温度范围内57.5%Al1.5O-35%CaO-7.5%BaO玻璃中四价铬的发射光谱.这种材料中铬离子的能级处于Tanabe-Sugano图上弱场范围中,最低的激发态是3T2,发射谱是一个宽带.按照单频近似理论拟合低温下的光谱,得到3T2能级的零声子线位置Ezp=8400cm-1,声子能量tω=320cm-1,黄昆因子S=358.尽管单频近似能够较好地描述低温下的线形,发射光谱宽度随温度的变化却与单频近似理论的结果不符.讨论了这种差别的原因,认为可能的解释是与激发态耦合的声子能量大于与基态耦合的声子能量. 相似文献
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用波长调谐到Yb~(3+)吸收线波长(λ=9220A)的高功率红外脉冲激光器去激发CaF_2~(3+),Yb~(3+)(含5ppm的Tm~(3+)与5ppm的Er~(3+)杂质)时。可同时观察到一种弱的可见荧光与Yb~(3+)离子跃迁 相似文献
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在一维反铁磁体CsMnCl_3·2H_2O中,用D_2O代替其中的结晶水之后,对于~4T_1→~6A_1激子跃迁,观察到三种明显的效应:激子线红移18cm~(-1);激子讯号增强近一个数量级;激子寿命由0.58ms变为9.2ms,增加15倍。这后一种效应在文献中尚未见报道,它说明这种同位素替代使振动猝灭受到很大的减弱。利用多声子辐射和无辐射跃迁理论,讨论了实验结果。分析表明,同位素替代改变了晶格振动的频谱,对无辐射跃迁产生很大的影响。电声子耦合强度没有明显的变化,黄昆-Rhys因子基本保持常数。卷入多声子辐射跃迁的声子模和卷入无辐射跃迁的声子模是不相同的,其能量有相当大的差别:前一种声子模与H_2O振动没有很大关系;而后一种声子模却与H_2O振动紧密相关。 相似文献
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在2—300K温度范围,研究了纯的及掺Mg~(2 ),Ni~(2 )和Co~(2 )的准一维反铁磁体CsMnCl_3·2D_2O(CMC)中Mn~(2 )离子的~4T_1激子的能量转移动力学过程,发现在2—10K范围,激子的荧光强度和寿命随温度很快下降,较高浓度的杂质离子将进一步加快荧光的减弱和寿命的缩短。这种现象被归结为与磁相互作用和自旋有序相关联的多声子无辐射跃迁及施主—受主之间的能量转移。在更高的温度,能量转移速率增高,但由于仍然存在的自旋短程有序和Jahn-Teller效应,施主之间的能量迁移受到一定限制,出现非指数衰减过程。各种不同的杂质离子在某种程度上显示出不同的陷落作用和弛豫特性。 相似文献
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在2—300K温度范围,研究了纯的及掺Mg2+,Ni2+和Co2+的准一维反铁磁体CsMnCl3·2D2O(CMC)中Mn2+离子的4T1激子的能量转移动力学过程,发现在2—10K范围,激子的荧光强度和寿命随温度很快下降,较高浓度的杂质离子将进一步加快荧光的减弱和寿命的缩短。这种现象被归结为与磁相互作用和自旋有序相关联的多声子无辐射跃迁及施主—受主之间的能量转移。在更高的温度,能量转移速率增高,但由于仍然存在的自旋短程有序和Jahn-Teller效应,施主之间的能量迁移受到一定限制,出现非指数衰减过程。各种不同的杂质离子在某种程度上显示出不同的陷落作用和弛豫特性。
关键词: 相似文献
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测量了 1 5~ 3 0 0K温度范围内 57 5%Al1 5O 3 5%CaO 7 5%BaO玻璃中四价铬的发射光谱。这种材料中铬离子的能级处于Tanabe Sugano图上弱场范围中 ,最低的激发态是3 T2 ,发射谱是一个宽带。按照单频近似理论拟合低温下的光谱 ,得到3 T2 能级的零声子线位置Ezp=84 0 0cm-1,声子能量 ω =3 2 0cm-1,黄昆因子S =3 58。尽管单频近似能够较好地描述低温下的线形 ,发射光谱宽度随温度的变化却与单频近似理论的结果不符。讨论了这种差别的原因 ,认为可能的解释是与激发态耦合的声子能量大于与基态耦合的声子能量。 相似文献
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