纳米材料在激光解吸电离质谱技术中的应用进展

近年来,基于纳米材料的激光解吸/电离质谱（LDI-MS）技术发展迅速。由于纳米材料具有激光吸收能量转移效率高、比表面积大、易功能化修饰、自身不易电离等特性,因此,LDI-MS技术具备灵敏、快速、高通量和谱图背景相对纯净等优点。本文针对近十年来基于碳基纳米材料、硅基纳米材料、金属有机框架、共价有机框架、金属基纳米材料等的LDI-MS在生物医学分析中的检测应用现状进行了分类和简要评述,并基于分析物种类和灵敏度等因素,比较了各类纳米材料的多种改性或复合途径的影响,聚焦于内外源代谢物空间分布的适用性,简要论述了各类纳米材料在质谱成像中的应用进展,最后阐述了该领域的重点、难点问题以及发展前景。     

脉冲输入毒素对具有阶段结构的单种群生存影响的研究

研究了一类小容量污染环境中脉冲输入毒素对具有阶段结构的单种群生存问题,分别找到了种群生存与灭绝的阈值,利用不等式放缩技巧,得到了种群灭绝和持久生存的充分条件.利用MATLAB数值仿真,验证了理论结果的正确性,分析了毒素输入量,毒素输入周期及种群成长时间对种群生存的影响.     

摩擦磨损试验机模拟活塞环-缸套摩擦行为的功能开发

参考活塞环-缸套的实际运行条件,结合SRV-4摩擦磨损试验机自身的性能特点和工作原理,通过开发设计,增加合理的硬件及软件测试条件,实现摩擦磨损试验机模拟活塞环-缸套摩擦行为的功能.系统测试结果表明：功能开发后的摩擦磨损试验机可在较短时间内获得活塞环-缸套摩擦副性能优劣的试验数据,满足快速、直观评价活塞环-缸套的摩擦磨损性能的需要,在活塞环-缸套摩擦副研究中具有重要的应用价值.     

绝经后女性血清性激素结合蛋白水平与骨质疏松症的相关性研究

为探讨性激素结合蛋白(Sex Hormone Binding Globulin, SHBG)与骨质疏松症(Osteoporosis,OP)患病风险之间的关系,用电化学发光法检测了237名绝经后女性血清SHBG和睾酮水平,并采用双能X线骨密度(BoneMineralDensity,BMD)测定仪测量了腰椎L2-4和股骨颈(Femoral Neck, FN)的BMD.结果发现SHBG与L2-4和FN的BMD均呈负相关(r=-0.356和-0.303, P0.01),校正体重指数(Body Mass Index, BMI)和年龄后仍呈负相关(P0.05). SHBG水平独立解释了2.0%的L2-4 BMD的变异和1.3%的FN BMD的变异.高SHBG组受试者OP患病率显著高于中SHBG组(OR=3.22,P=0.001)和低SHBG组(OR=4.22,P0.001),校正BMI和游离睾酮后差异仍显著(OR=2.32,P=0.040和OR=3.23,P=0.018).因此,高SHBG水平是中国绝经后女性人群OP的独立风险因素,监测外周血SHBG水平可能有助于预测绝经后女性骨质丢失与OP的严重程度.     

石墨型高能两电极气体开关

 为大型激光装置能源模块研制了一种采用石墨电极的两电极气体开关,阐述了石墨应用于高能两电极气体开关的技术关键,对气体开关中气体间隙的最优结构进行了电场强度分析。参考美国国家点火装置(NIF)能源模块中ST-300气体开关的已知参数,对研制成功的石墨型两电极开关进行了电气特性试验,证明了石墨型气体开关能够实现峰值电流达300 kA以上,单次转移电荷量100 C以上,寿命超过1 000次,满足1.2 MJ大型激光装置能源模块的工程技术要求。     

Regulation of Zn/Sn ratio in kesterite absorbers to boost 10% efficiency of Cu_2ZnSn(S,Se)_4 solar cells

The Zn/Sn ratio in Cu_2ZnSn(S,Se)_4(CZTSSe)films has been regulated to control the composition-related phase,defect,and photoelectric properties for high performance kesterite solar cells.It is found that the increase in the Zn/Sn ratio can slightly narrow the energy band gap to extend the light absorption range and improve the photocurrent.Optimal Zn/Sn ratio of 1.39 in CZTSSe film is obtained with the least secondary phase,the lowest defect density,and the longest charge recombination lifetime.Up to 10.1%photoelectric conversion efficiency has been achieved by this composition regulation.     

微乳液法制备二氧化硅包覆ZnS:Mn/CdS纳米晶

采用微乳液法制备核壳结构ZnS:Mn/CdS(～4.5nm)纳米晶,为获得水溶性纳米晶,继续向此微乳液添加硅酸乙酯(TEOS),并使用氨水作为催化剂,通过TEOS水解缩聚反应,在ZnS:Mn/CdS粒子表面生长连续的二氧化硅壳层.采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、光致发光谱(PL)对其表面形貌、结构和光学特性进行表征.ZnS:Mn /CdS纳米粒子表面被二氧化硅壳层完全包覆,粒径大小约为10nm左右,粒子均匀性好.由于二氧化硅相无定形且透光性良好,二氧化硅包覆ZnS:Mn/CdS纳米晶的光学特性与未包覆的ZnS:Mn/CdS极其相似.     

ZnS:Mn/CdS核壳结构纳米微粒的制备及光学特性

采用微乳液法制备了掺Mn的ZnS纳米微粒并用CdS对其进行了表面修饰,以XRD、紫外吸收和发射光谱对其结构及光学性质进行了表征和研究.制得的纳米微晶粒径为4～6nm,为立方纤锌矿结构.与未经包覆的ZnS:Mn纳米微粒相比,核壳结构的ZnS:Mn/CdS纳米微粒中Mn2+发射峰的强度增强了很多,适当厚度的壳层的修饰可减少其表面态发射和非辐射跃迁,增强了Mn2+离子的4T1-6A1的能量传递和ZnS的带边发射,提高了发光效率;讨论了ZnS核中Mn掺杂浓度对ZnS:Mn/CdS纳米微晶的光学性能的影响,发现当掺Mn浓度为4;时Mn2+发射峰的强度最大.     

Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.