Superconductivity and unconventional density waves in vanadium-based kagome materials AV3Sb5

Recently, the discovery of vanadium-based kagome metal AV₃Sb₅ (A= K, Rb, Cs) has attracted great interest in the field of superconductivity due to the coexistence of superconductivity, non-trivial surface state and multiple density waves. In this topical review, we present recent works of superconductivity and unconventional density waves in vanadium-based kagome materials AV₃Sb₅. We start with the unconventional charge density waves, which are thought to correlate to the time-reversal symmetry-breaking orders and the unconventional anomalous Hall effects in AV₃Sb₅. Then we discuss the superconductivity and the topological band structure. Next, we review the competition between the superconductivity and charge density waves under different conditions of pressure, chemical doping, thickness, and strains. Finally, the experimental evidence of pseudogap pair density wave is discussed.     

高职医药类院校《药用基础化学》精品课程建设研究

《药用基础化学》课程是药用技术专业群最基础的专业核心课程,为药学提供所需要的化学理论基础和基本技能。通过对《药用基础化学》在线精品课程的建设研究,将搭建一套完整的线上线下智能化学习平台,构建一套丰富的优质化教学资源,创建一间大健康绿色化学多功能实训室,为药用专业技术群内涵建设起到积极作用,为新医药大健康产业培养高素质高技能型人才奠定基础。     

混合正态分布下基于斜线截断的稳健似然比累积和控制图北大核心CSCD

累积和控制图主要用于对正态分布过程中均值的中小漂移的检测,但是对厚尾分布过程监测并不稳定.MacEachern等(2007)提出了用于监测厚尾分布过程的稳健似然比累积和(RLCUSUM)控制图.文章主要研究RLCUSUM控制图的性质,包括可控平均运行长度关于控制限的性质和过程失控时不同真实均值对平均运行长度的影响等,并提出了对于对数似然比函数进行斜线截断的方式,同时分析总结了不同污染程度的混合正态分布下各种截断方式得到的RLCUSUM控制图的适用情况.     

(HAlNH)n(n=2～3)环状化合物的结构特征

用自洽场理论 (HF)和密度泛函理论 (DFT)的B3LYP方法 ,在 6 31G 的水平上对化合物(HAlNH) 2 和 (HAlNH) 3 的几何结构进行优化 ,并分别与环丁二烯C4 H4 和苯分子C6H6的结构和成键方式进行比较。以B3LYP STO 3G方法讨论其分子轨道波函数 (Ψ)。结果表明 :C4 H4 和 (HAlNH) 2 均为D2h对称 ,前者为长方形结构 ,形成两个孤立的π键 ;而后者为菱形结构 ,形成一个π44键。C6H6和 (HAlNH) 3分子点群分别为D6h和D3h,并均形成一个π66键。成键原子对分子轨道的贡献不同 ,其中C原子是完全等价的 ,而Al和N原子各不相同 ,N原子比Al的贡献要大得多     

光催化CO2还原为CH4研究进展(英文)

太阳能驱动二氧化碳光催化还原为CH₄是缓解全球变暖和能源危机的有效策略,然而,光催化效率较低以及产物选择性差,严重阻碍其大规模商业化应用。探究光催化CO₂还原反应机理对解决以上问题有重要参考意义,因此本文对光催化CO₂还原为C₁产物的基本原理及路径进行阐述,主要综述提高CO₂光还原效率以及CH₄选择性的方法,如构建异质结、设计结构缺陷、引入单原子催化剂以及其他方法,最后指出CO₂光还原CH₄面临的挑战和发展前景。     

荧光粉Ba5-3x/2B4O11∶xEu3+的制备及发光性能

采用高温固相烧结法成功制备了Ba_5-3x/2B₄O₁₁∶xEu³⁺(x=0.02~0.22)荧光粉,利用XRD和SEM等对荧光粉进行了结构和形貌表征。 在激发波长为393 nm的条件下,发射峰(596、621、657和706 nm)与Eu³⁺的⁵D₀-⁷F_J(J=1,2,3,4)电子跃迁相对应,其中621 nm最强发射峰由Eu³⁺离子⁵D₀→⁷F₂电偶极跃迁造成。 文章还研究了Eu³⁺掺杂浓度对Ba_5-3x/2B₄O₁₁∶xEu³⁺发光性能的影响,结果表明,荧光粉的发光强度随着Eu³⁺掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,Eu³⁺最佳掺杂量为0.16。     

激光辐照VO2薄膜温度场分布及透射特性研究

为了探究VO₂薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO₂薄膜利用分子束外延法在Al₂O₃基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm^-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO₂薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm^-2和5.39 W·mm^-2。30 nm厚VO₂薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO₂薄膜对近红外透过率调制特性不明显。     

光合色素分子吸附膜的非线性增强效应

吸附在光学表面上的细菌叶绿素和藻兰素生物分子膜.在基波(λ=1.06μm)激光作用下,观察到谐波效应.文中对藻兰素只产生三次谐波而不产生二次谐波做了分析.     

Robustness of the unidirectional stripe order in the kagome superconductor CsV3Sb5

V-based kagome materials AV₃Sb₅ (A=K, Rb, Cs) have attracted much attention due to their novel properties such as unconventional superconductivity, giant anomalous Hall effect, charge density wave (CDW) and pair density wave. Except for the 2a₀×2a₀ CDW (charge density wave with in-plane 2×2 superlattice modulation) in AV₃Sb₅, an additional 1×4 (4a₀) unidirectional stripe order has been observed at the Sb surface of RbV₃Sb₅ and CsV₃Sb₅. However, the stability and electronic nature of the 4a₀ stripe order remain controversial and unclear. Here, by using low-temperature scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/S), we systematically study the 4a₀ stripe order on the Sb-terminated surface of CsV₃Sb₅. We find that the 4a₀ stripe order is visible in a large energy range. The STM images with positive and negative bias show contrast inversion, which is the hallmark for the Peierls-type CDW. In addition, below the critical temperature about 60 K, the 4a₀ stripe order keeps unaffected against the topmost Cs atoms, point defects, step edges and magnetic field up to 8 T. Our results provide experimental evidences on the existence of unidirectional CDW in CsV₃Sb₅.     

低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究

利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高 度以及界面的电子结构.结果表明，Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长 .由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为14 eV. 通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱 的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带 态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金. 关键词： 同步辐射 光电子能谱 Au/GaN欧姆接触 态密度