Magnetic properties of bulk polycrystalline Pr1-x Ndx（x=0,0.8）FeB permanent magnets

For spin reorientation （SRT）, the applications of sintering NdFeB permanent magnets are limited at low temperature. The sintering PrFeB permanent magnet （PM） presents no SRT and shows excellent magnetic properties at low temperature. The magnetic properties of bulk polycrystalline sintering Prl-xNdxFeB （x = 0 and 0.8 correspond to P42H and N50M respectively） are studied in this paper. The results show that magnetic properties and stability of N50M are better than those of 42H at room temperature. With the decrease of temperature, the parameters ofBr, Hcb, and Hci of P42H present a nearly linear increasing trend; Br and Hcb of N50M first increase and then decline, Hci presents an increasing trend. At 77 K, Br, Hci, and Jr of P42H are increased by 18.7%, 308%, and 17.1% respectively over than those at 300 K; at 120 K, Br, Hci, and Jr of N50M are increased by about 16.19%, 245%, and 12.6% respectively over than those at 300 K. The magnetic properties of P42H are better than those of N50M at low temperature. The sintering PrFeB is the preferred PM in various low-temperature devices.     

Nontrivial Topological States in BaSn5 Superconductor Probed by de Haas–van Alphen Quantum Oscillations

We report the nontrivial topological states in an intrinsic type-Ⅱ superconductor BaSn₅（T_c～4.4 K） probed by measuring the magnetization, specific heat, de Haas–van Alphen（d Hv A） effect, and by performing first-principles calculations. The first-principles calculations reveal a topological nodal ring structure centered at the H point in the k_z = π plane of the Brillouin zone, which could be gapped by spin-orbit coupling（SOC）, yielding relatively small gaps below ...     

制备参数对高比表面积介孔催化剂La-Co-Zr-O结构与性能的影响

采用双表面活性剂模板(十六烷基三甲基溴化铵和聚乙二醇辛基苯基醚的混合物)分解法制备了不同原子比(n_La+n_Co)/(n_La+n_Co+n_Zr)和不同温度焙烧的系列介孔混合氧化物催化剂La-Co-Zr-O。运用XRD、N₂吸附/脱附、XPS和H₂-TPR等技术对催化剂进行了表征，并以CO和C₃H₈氧化为模型反应，考察了组分配比和焙烧温度等参数对催化剂催化性能的影响。比表面积和孔径测试结果表明，样品具有很高的比表面积(108～266 m²·g^-1)和分布集中的孔径(3.4～3.9 nm)，Zr含量较高的样品比表面积较大。XRD结果表明，样品中的活性组分钴物种主要以Co₃O₄形式存在；XPS和H₂-TPR结果表明，样品中可还原的晶格氧的数量、活动度以及表面钴原子浓度均与催化剂对CO和C₃H₈的氧化性能密切相关。原子比为0.5的样品中，较多的晶格氧易于在相对低温下还原；而原子比为0.7的样品表面钴原子浓度较高，这使得两样品均表现出较高的催化活性。经650 ℃焙烧的样品仍保持较高的比表面积(108 m²·g^-1)和分布集中的介孔孔径(最可几孔径约3.8 nm)，且催化活性下降幅度也很小，表明该系列介孔催化剂具有优良的抗烧结能力和介孔热稳定性。     

介孔混合氧化物催化剂La-Co-Zr-O的制备与表征

 采用柠檬酸络合-有机模板剂分解法制备了(La+Co)/(La+Co+Zr)原子比为0.5的La-Co-Zr-O催化剂,并与传统的共沉淀法制备的La-Co-Zr-O催化剂进行比较. N2物理吸附结果表明,采用模板剂法制备的催化剂样品具有较大的比表面积(96.6～117.6 m2/g)和十分均匀的孔径(3.5～4.3 nm); X射线衍射、X射线光电子能谱和X射线吸收精细结构表征结果一致表明,催化剂中活性组分主要为高分散的Co3O4微晶(粒径为23～33 nm), 模板剂法制备的催化剂中所有组分的分散性均优于共沉淀法制备的催化剂. 程序升温还原实验结果表明,采用聚乙二醇辛基苯基醚与十六烷基三甲基溴化铵为混合模板剂制备的催化剂中Co3O4更容易被还原. Co-O 键的活动度与催化剂催化氧化反应的活性密切相关.     

Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析

采用分子束外延法分别在650-920 ℃的Si（110）和920 ℃的Si（111）衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920 ℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si 衬底的取向关系. 扫描隧道显微镜（STM）研究表明,920 ℃高温下,Si（110）衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650 ℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si（111）衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm. 电子背散射衍射研究表明920 ℃高温下Si（110）衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi₂的形式存在,且β-FeSi₂相与衬底之间存在唯一的取向关系：β-FeSi₂（101）//Si（111）;β-FeSi₂ [010]//Si[110];Si（111）衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe₂Si 相组成,Fe₂Si 属于164 空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe₂Si（001）∥Si（111）和Fe₂Si[120]//Si[112].     

Si(111)-7×7表面上C60多层膜的生长及其纳米摩擦学性质

在超高真空(UHV)条件下,用分子束外延(MBE)方法,通过对生长过程中蒸发速率和衬底温度等参数的控制,可以避免C60分子在Si(111)-7×7重构表面多层生长时团聚岛的形成,得到了逐层生长的C60多层膜.同时利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)对这种多层膜结构进行了观察并对这种现象产生的机理做了分析,测定了不同层数C60薄膜的黏附力和摩擦力曲线,发现分子层数对薄膜的摩擦性质有显著影响,随着沉积层数的增加,样品的摩擦力明显降低,摩擦系数也有降低的趋势.由于分子层数的增加导致C60分子转动程度增强,本文得出结论,摩擦力的降低是由C60分子的转动引起的,C60分子在这里充当了“纳米滚动轴承”,即C60分子的转动为微观结构提供了能量耗散通道.     

A new transition metal diphosphide α-MoP2 synthesized by a high-temperature and high-pressure technique

Monoclinic $\alpha $-MoP$_{2}$, with the OsGe$_{2}$-type structure (space group $C2/m$, $Z = 4$) and lattice parameters $a = 8.7248(11) $ Å, $b = 3.2322(4) $ Å, $c = 7.4724(9) $ Å, and $\beta =119.263^\circ $, was synthesized under a pressure of 4 GPa at a temperature between 1100 ${^\circ}$C and 1200 ${^\circ}$C. The structure of $\alpha $-MoP$_{2}$ and its relationship to other transition metal diphosphides are discussed. Surprisingly, the ambient pressure phase orthorhombic $\beta $-MoP$_{2}$ (space group Cmc2$_{1}$) is denser in structure than $\alpha $-MoP$_{2}$. Room-temperature high-pressure x-ray diffraction studies exclude the possibility of phase transition from $\beta $-MoP$_{2}$ to $\alpha $-MoP$_{2}$, suggesting that $\alpha $-MoP$_{2}$ is a stable phase at ambient conditions; this is also supported by the total energy and phonon calculations.     

P3121(D34)空间群晶体的Raman谱研究(Ⅰ)——二元系压电晶体用Al1-xGaxPO4的Raman谱

测得了二元系压电晶体磷酸铝镓Al_1-xGa_xPO₄(x=0.12)的Raman谱,与α-ALPO₄晶体的Raman谱相比,声子频率的红移多于蓝移;E类振动的TO和LO模的劈裂明显减少,依据晶格动力学的观点解释了这些特点。 关键词：     

锰的硅化物薄膜在Si(100)-2×1表面生长的STM研究

锰的硅化物在微电子器件、自旋电子学器件等领域具有良好的应用前景, 了解锰的硅化物薄膜在硅表面的生长规律是其走向实际应用的关键步骤之一. 本文采用分子束外延方法在Si(100)-2× 1表面沉积了约4个原子层的锰薄膜, 并利用超高真空扫描隧道显微镜研究了该薄膜与硅衬底之间在250-750℃范围内的固相反应情况. 室温下沉积在硅衬底表面的锰原子与衬底不发生反应, 薄膜由无序的锰团簇构成; 当退火温度高于290℃时, 锰原子与衬底开始发生反应, 生成外形不规则的枝晶状锰硅化物和富锰的三维小岛; 325℃时, 衬底上开始形成平板状的MnSi小岛; 525℃时, 枝晶状锰硅化物完全消失, 出现平板状的MnSi_1.7大岛; 高于600℃时, 富锰的三维小岛和平板状的MnSi小岛全部消失, 仅剩下平板状的MnSi_1.7大岛. 这些结果说明退火温度决定了薄膜的形态和结构. 在大约600℃退火时岛的尺寸随着退火时间的延长而逐渐增大, 表明岛的生长遵从扩散限制的Ostwald熟化机理.     

锰的硅化物薄膜在Si(111)-7×7表面的固相反应生长

利用超高真空扫描隧道显微镜(STM)对沉积在Si(111)-7×7重构表面上的锰薄膜在300-650℃之间的固相反应进行了研究.锰原子最初在Si(111)衬底上形成锰的纳米团簇的有序阵列,经过300℃退火后,锰纳米团簇的尺寸增大并且纳米团簇阵列由有序变为无序;当退火温度达到400℃左右时,锰纳米团簇与硅衬底发生反应生成富锰的三维岛状物和由MnSi构成的平板状岛;500℃退火后生成物全部转变为MnSi平板状岛;650℃退火后生成物则由MnSi平板状岛全部转变为富硅的不规则的大三维岛,同时被破坏的衬底表面重新结晶形成7×7结构.