STAGNANT LAYER EFFECT IN CVD PROCESS

It is clearly shown that the stagnant layer effect is present in entire temperature range in CVD process by pyrolysis of silane. The Curves in logarithmic growth rate vs reciprocal temperature plot can be divided into three straight line ranges. In high temperature region the rate-controlling mechanism is the diffusion of silicon atoms, but not of silane, which pass through the stagnant layer after thermal decomposition of silane. In intermediate and low temperature region the growth rate-controlling factor is the decomposition rate of silane in the stagnant layer, but not the surface reaction process. Owing to the difference in ratecontrolling mechanism the growth rate has different dependences on the height of stagnant layer. In intermediate and low temperature region the growth rate is proportional to the stagnant layer height, but in high temperature region it is inversely proportional to the square of the stagnant layer height.     

衬底温度对化学气相淀积原位生长YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的影响

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在氧化钇稳定的 ZrO_2(YSZ)衬底上一次生长出零电阻温度大于85K 的 YBa_2Cu_3O_(7-x)(YBCO)超导薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构的影响,获得薄膜取向与衬底温度的关系和形成超导相的最低温度范围.此外,讨论了薄膜与衬底间的外延关系.     

高阶奇性常微分方程的边值问题（Ⅰ）──—非退化情形

本文对高阶奇性常微分方程的非退化边值问题建立了非共轭性存在定理和上、下解型存在定理．     

评定异质硅膜质量的光学方法——光“吸收因子”法

<正> 目前,异质硅膜作为半导体器件材料已受到大家重视,其中以蓝宝石为衬底的气相外延硅片(SOS)已成功地应用于表面场效应集成电路的生产中。外延膜的质量对电路的性能起着关键作用,因此对薄膜质量的检测与控制,     

高阶奇性常微分方程的边值问题（Ⅱ）——强奇性与退化情形

本文是文〔１〕的继续，考虑了具有强奇性的高阶常微分方程的退化多点边值问题，得到了关于Ｃ（ｉ１－１）－有界解的存在定理。     

物理学与新型功能材料专题系列介绍(Ⅶ) 高温半导体材料与器件

通信领域要求更高的频率和更大的功率，从飞机发动机直到宇宙飞船都要求器件在恶劣的条件下工作．这些需求激励着高温半导体的研究，因为它们具有制作抗辐照的大功率、高温、高频及光电子器件的潜力．过去十年内在这一领域取得了很大的进展．本文评述了在半导体金刚石、碳化硅和氮化物的研究方面的进展与存在的问题．     

窄线宽La:YIG单晶膜的液相外延生长

研究了La:YIG的液相外延生长工艺。测量了在不同温度下生长的膜的铁磁共振线宽△H;测定了膜的化学组成和衬底与外延膜的晶格失配度△a。还测量了电阻率和光吸收系数,以期获得电荷补偿信息.     

金刚石薄膜的光学透射率研究

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