石墨烯纳米孔道内受限水介电常数影响因素的分子动力学模拟

受限水的介电特性对于石墨烯电容器的储能效率有着重大的影响.因此本文使用分子动力模方法,研究了不同石墨烯纳米孔道宽度(0.812～10 nm)下内受限水介电常数的分布及其影响因素.结果表明,在石墨烯纳米孔道内部受限水双电层结构可分为空隙层、界面层和体相层三个部分.其整体的介电常数随孔道大小的降低而线性减少.这是由内部体相层的宽度的降低而导致的.此外电极电压大小和石墨烯-水相互作用参数ε_CO的强弱也会显著改变电极表面的双电层(Electric Double Layers, EDLs)结构.其中电压的增大使得介电常数分布的震荡的程度也随之增加,最终导致了整体介电常数的减小.与之类似,亲水态的石墨烯表面(高ε_CO)下受限水分布的震荡程度也显著增加,这导致了整体介电常数的降低.     

对流扩散方程的QC3无网格法

对流扩散方程作为偏微分运动方程的分支,在流体力学、气体动力学等领域有着重要应用.为解决对流扩散方程难以通过解析法得到解析解的难题,采用二阶一致3点积分(Quadratically Consistent 3-Point Integration,简称QC3)提高无网格法的计算效率,通过对积分点上形函数导数的修正,改善无网格法的精度和收敛性.本文将QC3无网格法拓展到对流扩散方程问题中,时域离散采用广义特征线Galerkin法,空间离散采用QC3法.数值结果表明,应用QC3无网格法得到的对流扩散问题数值解与解析解十分接近,验证了QC3无网格法解决对流扩散问题的可行性.     

等离激元纳米贴片天线耦合MEH-PPV超薄膜的高亮快速发射（英文）

作为一类潜在的纳米光源，共轭聚合物薄膜的荧光寿命通常在1～10 ns的范围内，这阻碍了其在高速光子器件中的应用。本文实现了等离激元纳米贴片天线(NPA)耦合聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯基乙烯基](MEH-PPV)薄膜的高亮、快速发射，其中11 nm厚的聚(二烯丙基二甲基氯化铵)/聚苯乙烯磺酸钠(PDDA/PSS)_n多层自组装膜用作介质层来调节等离激元微腔的损耗特性。实验结果表明，MEH-PPV超薄膜的发射强度增强了1.9倍，而辐射速率增加了7.2倍。以上结果为开发基于MEH-PPV聚合物薄膜的高速光子源提供了理论依据。     

基于守恒高阶模型的动态交通分配建模与仿真

针对路网中的动态交通分配问题，采用高阶守恒模型（CHO）进行建模与数值研究，并推广高阶守恒模型二进二出路口的Riemann问题；同时将高阶守恒模型与动态网络加载（DNL）模型相结合，通过变分不等式对动态网络加载模型进行分析.数值模拟采用一阶有限体积法求解高阶守恒模型，同时采用梯度下降方法迭代求解动态网络加载模型的变分不等式问题，最终以动态用户最优条件为目标实现分配均衡.数值结果表明CHO模型与DNL模型结合解决动态交通分配问题是可行的，对传统模型的研究有一定的指导意义.     

基于线阵CCD的测隙装置设计

在工业现场，传统的测量方式不能快速准确地测量微小尺寸。基于工业上小尺寸测量的需要，设计了一种可用于测量间隙的光电检测装置。用线阵CCD(Charge Coupled Device)作光电接收传感装置，单片机作主控处理器，对齿轮和高频淬火感应器之间的间隙进行在线非接触测量，取得了较好的测量效果。该方案适用于成本低但测量精度相对要求较高的场合。     

基于二维半导体材料浮栅存储器的研究进展：从材料到结构

半导体浮栅存储器在半导体存储器乃至整个数据存储行业都占据着较大的市场份额，目前在计算机、便携式设备存储器等领域都有广泛应用.随着存储器件进一步小型化和集成化，在未来需要新材料和新结构对浮栅存储器进行革新以延续摩尔定律的发展.具有原子级厚度的二维层状半导体材料具有优异的电学性能和稳定性，被广泛认为是极具潜力的新型半导体材料之一，可用于下一代半导体浮栅存储器.本文主要介绍近年来二维半导体材料在浮栅存储器领域的应用，并对其未来的发展趋势进行了思考和展望.