电气线路互联系统线缆抗高空核电磁脉冲耦合效应

高空核电磁脉冲（HEMP）对电子设备的耦合途径主要有两方面:一方面是通过装备（产品）上的天线耦合通道进入到电子系统内的“前门耦合”方式；另一方面则是“后门耦合”，即通过装备（产品）上的壳体、电源线、电缆、机箱的缝隙、孔洞等途径进行耦合。主要研究电气线路互联系统(EWIS)线缆抗高空核电磁脉冲耦合效应，通过研究HEMP干扰的特征、能量分布，搭建HEMP数学模型，采用控制变量法，改变EWIS线缆类型、离地高度等要素，通过在CST上建立仿真模型以及开展试验，分析HEMP对电子设备造成的影响程度，得到HEMP耦合效应的一般性结论与规律。     

表面活性剂对部分水解聚丙烯酰胺溶液抗盐性的影响

通过实验研究了阴离子表面活性剂(SDS)、非离子表面活性剂(OP-10)、两性表面活性剂(C12BE)浓度及KCl浓度对部分水解聚丙烯酰胺(阴离子型,HPAM)水溶液黏度的影响规律,进而分析各因素对聚合物溶液抗盐性的影响。实验结果表明:当表面活性剂浓度低于临界缔合浓度CAC时,聚合物溶液黏度变化不大;高于CAC后,随着表面活性剂浓度增大,聚合物溶液黏度急剧增加;当表面活性剂浓度达到聚合物饱和浓度PSP时,聚合物溶液黏度达到最大值;再加入阴离子和两性表面活性剂,将导致黏度降低,而加入非离子表面活性剂不再改变聚合物溶液的黏度,无机盐KCl对聚合物溶液有双重作用,低浓度KCl促进聚合物溶液黏度升高,高浓度KCl则导致聚合物溶液黏度急剧降低后趋于稳定,在相同KCl浓度下,三种表面活性剂的抗盐能力表现为:SDSOP-10C12BE。     

岩石可能保存有暗物质化石

<正>我们脚下的岩石中可能含有过去暗物质相互作用的残留物,这些残留物以纳米粗的径迹的形式存在着。以前对这些所谓的暗物质化石的寻找没有任何结果。但是瑞典和波兰的研究团队认为,最近在材料分析技术方面的进展,会促进新一     

量子干涉增强发动机功率

<正>对于由原子组成的微观发动机,有一种全新的增强发动机功率的方法,即量子增强。英国牛津大学的James Klatzow及其同事,用一组钻石中的氮晶格空穴(NV)中心组成热机,首次对量子功率增强进行了测量。经典热机通过完成一系列冲程将热能(热)转换成机械能(功)。量子热机以相似的方式工作。不同的是,量子发动机的工作介质,其作     

分层立方体网络的容错性分析

通过分层立方网络HCNn (n≥3)的容错性分析,从理论上探讨了分层立方网络基于比较模型的条件诊断度,并证明其条件诊断度为tc(HCNn)=3n?2,大约是传统诊断度(t(HCNn)=n+1)的3倍.     

难以捉摸的惰性中微子

<正>中微子总是带来惊奇。Wolfgang Pauli于1930年推测了中微子的存在。后来,物理学家们了解到中微子振荡,即已知的3种"味"(电子、μ子和τ子)的中微子在空间飞行时,周期性地相互转换。最近又发现,决定着中微子振荡的参数与理论预期截然不同。近来,费米实验室的MiniBooNE实验数据表明,μ中微子转换成电子中微子所飞过的距离,比通常发生中微子振荡的距离短得多。20世纪90年代末,Los Alamos的液体闪     

稀土氧化物表面修饰NiFe2O4的制备及其气敏性能

采用低温固相反应法合成了NiFe2O4纳米粉体,并通过浸渍法在其表面修饰La2O3及Y2O3,通过X射线衍射分析(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了修饰前后粉体的结构及形貌,并对修饰不同含量La2O3及Y2O3的旁热式气敏元件的气敏性进行了测试.结果表明:La2O3及Y2O3以无定形结构附着于NiFe2O4颗粒表面,当表面修饰为4%(质量分数)的La2O3时,NiFe2O4气敏元件的最佳工作温度为150℃,对1000ppm的乙醇及丙酮气体具有较高的灵敏度.有望开发出一种低温下工作的新型气敏元件.当表面修饰2%Y2O3(质量分数)时,对1000ppm的乙醇气体的灵敏度要高于对丙酮气体的灵敏度,达到33.5,最佳工作温度为250℃.     

Growth condition optimization and mobility enhancement through inserting AlAs monolayer in the InP-based In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMT structures

The structure of In P-based In_xGa_(1-x) As/In0.52Al0.48 As pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)was optimized in detail.Effects of growth temperature,growth interruption time,Si δ-doping condition,channel thickness and In content,and inserted Al As monolayer(ML) on the two-dimensional electron gas(2DEG) performance were investigated carefully.It was found that the use of the inserted Al As monolayer has an enhancement effect on the mobility due to the reduction of interface roughness and the suppression of Si movement.With optimization of the growth parameters,the structures composed of a 10 nm thick In0.75Ga0.25 As channel layer and a 3 nm thick Al As/In0.52Al0.48 As superlattices spacer layer exhibited electron mobilities as high as 12500 cm~2·V-1·s~(-1)(300 K) and 53500 cm~2·V~(-1_·s~(-1)(77 K) and the corresponding sheet carrier concentrations(Ns) of 2.8×10~(12)cm~(-2)and 2.9×1012cm~(-2),respectively.To the best of the authors' knowledge,this is the highest reported room temperature mobility for In P-based HEMTs with a spacer of 3 nm to date.     

基于CFD的河流弯道二次流的三维数值模拟

为了系统地研究河流弯道在二次流影响下水沙运动的特点,本文基于CFD(Computational Fluid Dynamics)数值模拟和物理模型实验的方法,对河流弯道二次流进行了模拟和测量;应用雷诺时均法模型,结合Eulerian两相流模型对河流弯道二次流及其泥沙冲淤规律进行了数值模拟;以SIMPLE方法对压力场和速度场进行了耦合计算,并对辽宁省阜新市细河某段支流河道进行了物理模型实验,数值模拟的结果与实验结果基本一致,表明了本文方法的正确性。在此基础上,对90°弯曲的梯形断面河道的二次流结构和冲淤变化进行了分析,为防洪和水利设施的建设提供理论依据。