铁氰化镍膜的分子组成及电化学行为

研究了沉积在玻碳（ＧＣ）基体上的铁氰化镍（ＮｉＨＣＦ）膜的电化学行为，详细分析了制备条件对膜的循环伏安（ＣＶ）行为的影响，结合能量色散Ｘ射线（ＥＤＸ）分析技术，提出膜是可溶组分Ｋ２ＮｉＦｅ（ＣＮ）６和不可溶组分Ｎｉ２Ｆｅ（ＣＮ）６共存的混合态，精确控制沉积条件，可分别获得不同组分占优势的膜．在此基础上研究了两组分的电化学特征，初步探讨了不可溶组分的电化学反应机制，得到描述其电极反应的方程式为：     

次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究

研究了次黄嘌呤（Ｈｘａ）在铜电极上的电化学行为．实验发现，以１．９６×１０－３～４×１０－４ｍｏｌ·Ｌ－１ＮａＯＨ作支持电解质时，在－０．２５～－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰，它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＋络合物的溶出伏安峰．在选择的实验条件下，峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０－６～２×１０－３ｍｏｌ·Ｌ－１范围内呈良好的线性关系，最低检测限为５．６×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１，可用于痕量的Ｈｘａ的检测．     

铁氰化镍化学修饰电极对亚硫酸根离子的电催化氧化及其应用

本文采用电化学方法在玻碳(GC)基体上制备出性能稳定的铁氰化镍(NiHCF)修饰膜电极,表征了NiHCF膜的电化学行为,研究了其对SO_3~(2-)离子的电催化氧化作用。结果表明,SO_3~(2-)离子在NiHCF/GC上氧化是受NiHCF媒介作用的,属EC平行催化反应。催化峰电流与SO_3~(2-)离子浓度在1.0×10~(-6)～2.0×10~(-2)mol/L范围内呈线性关系,检测限可达5.0×10~(-7)mol/L。用于测定空气中SO_2含量,结果良好。