| 次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究 |
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| 引用本文： | 胡胜水,张新萍,王政萍.次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究[J].武汉大学学报(理学版),1998(6). |
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| 作者姓名： | 胡胜水 张新萍 王政萍 |
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| 作者单位： | 武汉大学化学学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,湖北省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了次黄嘌呤（Ｈｘａ）在铜电极上的电化学行为．实验发现，以１．９６×１０－３～４×１０－４ｍｏｌ·Ｌ－１ＮａＯＨ作支持电解质时，在－０．２５～－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰，它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＋络合物的溶出伏安峰．在选择的实验条件下，峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０－６～２×１０－３ｍｏｌ·Ｌ－１范围内呈良好的线性关系，最低检测限为５．６×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１，可用于痕量的Ｈｘａ的检测．
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| 关 键 词： | 次黄嘌呤，溶出伏安法，伏安特性，铜电极 |
THE VOLTAMMETRIC CHARACTERISTIC OF HYPOXANTHINE ON THE COPPER ELECTRODE |
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| Hu Shengshui,Zhang Xinping,Wang Zhengping.THE VOLTAMMETRIC CHARACTERISTIC OF HYPOXANTHINE ON THE COPPER ELECTRODE[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,1998(6). |
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| Authors: | Hu Shengshui Zhang Xinping Wang Zhengping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hypoxanthine stripping voltammetry voltammetric characteristic copper electrode |
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