直接出射白光的新型发光二极管

介绍了实现出射白光发光二极管的几种方法,包括波长转化产生白光,多有源区级联合成白光以及单个有源区直接出射白光.并从芯片结构、材料选取、白光形成机理以及器件性能等四个方面对这几种方法进行了分析比较.最后指出了实现直接出射白光的发光二极管存在的问题及今后的研究重点.     

一种描述RBAC角色层次关系和互斥关系的模型及实现

RBAC角色访问控制逐渐被软件业所认同，在概述了目前的RBAC模型的特点后，对其角色的继承关系和互斥关系进行了讨论，并提出了一种逻辑模型和实现方法，最后给出了一个实例。     

二维均匀流与重力短峰波相互作用解析

短峰波和海流广泛分布于海洋之中,但二者的相互作用直到近些年才逐渐受到关注,根据速度势函数理论,推导二维均匀流与重力短峰波的相互作用,区别于之前的研究,推导时不考虑波面的毛细影响,避免了将位置变量(x)与时间变量(t)绑定的假设,使得二阶速度势函数包含了的时间(t)一阶项,从而给出了完整的二维流与短峰波交互作用的二阶解析解,对比结果说明上述考虑对于波流共同作用结果有影响,尤其是在波高较大时,影响更加明显,所得结果,可用于高波浪条件下海洋波浪与流相互作用的计算.     

Wavelength Red-Shift of Long Wavelength InGaN/GaN Multi-Quantum Well by Using an InGaN Underlying Layer

Long-wavelength Ga2N based light-emitting diodes are of importance in full color displays, monofithic white lightemitting diodes and solid-state lighting, etc. However, their epitaxial growth faces great challenges because high indium （In） compositions of lnGaN are difficult to grow. In order to enhance In incorporation and lengthen the emission wavelength of a InGaN/GaN multi-quantum well （MQW）, we insert an InGaN underlying layer underneath the MQW. InGaN/GaN MQWs with various InGaN underlying layers, such as graded InyGal-yN material with linearly increasing In content, or InyGa1-yN with fixed In content but different thicknesses, are grown by metal-organic chemical vapor deposition. Experimental results demonstrate the enhancement of In incorporation and the emission wavelength redshift by the insertion of an InGaN underlying layer.