BaGa4的X一射线多晶结构分析

X一射线多晶结构分析表明,Ba-Ga二元系在Ga含量}80at%区域,只存在Bata,一种金属间相,属四方晶系,14/mmm空间群,晶胞参数为。=b=4.5661(4)人,c=10.778(3)入.与文献上报导的Bata,多晶X一射线衍射谱比较,本文所得衍射谱与根据Bata。单晶结构参数计算所得的多晶粉未衍射谱吻合得更好,因此可以用作Bata,的标准粉未衍射谱.     

Nd_2O_3陶瓷介质的介电性质

Nd_2O_3是一种用途非常广泛的稀土原料,在电子工业、激光技术、冶金工业、农业和轻工业等多个领域中都有应用。如电子工业中,它作为一种添加剂来改善电子陶瓷的性能;在磁性材料中,钕铁硼磁体被称为当代“磁王”;在激光晶体中,通过Nd_2O_3原料改性晶体性能也已被广泛地采用。过去人们对稀土氧化物的研究,一般是从化学或化学物理的角度出发,而对于它们的物理性能,特别是介电性质的研究尚少。我们曾对CeO_2陶瓷介质     

BaGa_4晶体的合成及晶体结构

本文成功地制备了BaGa_4晶体,并测定了其单晶结构。 用纯度大于99.5％的金属镓、钡,按Ga∶Ba>4∶1的比例配制,在自制的加热炉中熔炼,用氩气作保护气体。在约200℃的温度下均匀化处理一个月后,经分离得到片状银灰色晶体。     

BaGa4的X—射线多晶结构分析

X-射线多晶结构分析表明,Ba-Ga二元系在Ga含量≥80at%区域,只存在BaGa_4一种金属间相,属四方晶系,I4/mmm空间群,晶胞参数为a=b=4.5661(4)?,c=10.778(3)?.与文献上报导的BaGa_4多晶X-射线衍射谱比较,本文所得衍射谱与根据BaGa_4单晶结构参数计算所得的多晶粉未衍射谱吻合得更好,因此可以用作BaGa_4的标准粉未衍射谱