BaGa4的X—射线多晶结构分析

X-射线多晶结构分析表明,Ba-Ga二元系在Ga含量≥80at%区域,只存在BaGa_4一种金属间相,属四方晶系,I4/mmm空间群,晶胞参数为a=b=4.5661(4)?,c=10.778(3)?.与文献上报导的BaGa_4多晶X-射线衍射谱比较,本文所得衍射谱与根据BaGa_4单晶结构参数计算所得的多晶粉未衍射谱吻合得更好,因此可以用作BaGa_4的标准粉未衍射谱     

FeS2微粉的水热合成及晶体结构研究

利用水热法一步合成了黄铁矿型FeS2(Pyrite)多晶粉体.样品的X射线衍射线和Rietvild结构精修表明,所得样品具有AB2型立方结构,空间群Pa3,晶格常数a=5.4151 A,Wyckoff参量u=0.3868,结合水热生长模式分析了晶体的生长过程.     

真空热蒸发法制备CdS纳米带及其光学性质

在常规真空镀膜仪中,我们首创了一种利用真空热蒸发原理在催化剂Bi的辅助下制备一维CdS纳米带的方法.X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱(EDX)实验证明所得纳米带为纯的六方纤锌矿型CdS结构.扫描电子显微镜(SEM)观察到CdS纳米带在较大范围内具有非常均匀的带宽.光致发光谱发现CdS纳米带有两个发光带.经分析推测CdS纳米带的生长机理为:生长前期为气-液-固(VLS)机制占主导地位,而气-固(VS)机制在纳米带的形成过程和生长的后期起决定作用.     

Gd_(1-x)Zn_xMnO_3系列化合物Rietveld结构分析

利用标准的固相反应法在1 350 ℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品.利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究.X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构.用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化.在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大.     

中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜

使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si（111）、玻璃以及高速钢基底上沉积A1N薄膜，利用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的结构、光学及电学性质，结果表明，生成的（002）取向多晶A1N薄膜在可见光区域平均透过率超过75％，在紫外区域也具有较高的透过经，在低频交流区域具有良好的绝缘性。     

摘在具有KZNiF4型结构的AZBOd(A=Dy3r/Sr2+，B一Ni，Mn，Fe，Co)化合物 中的掺杂和X射线衍射表征

本文用多晶X射线衍射技术，研究重稀土摘在具有K,NiF。型结构A,BO,相似文献   

CdS(Se)掺Cu薄膜的相结构和光电性能

分别采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子谱（AES）、X射线光电与谱（XPS）研究喷涂烧结CdS(Se）薄膜在有氮气氛下热退火前后结构，并进一步研究了镉和硫化学态对表面层氧成分的影响，结果表明，表现几个原子层范围内的CdS(Se)膜的非化学计量组成和CdO降低了薄膜的光电性能和寿命。     

配合物[Cu(mpa)L].H2O 水热合成与表征

采用水热法合成了一种新的配合物[Cu(mpa)L]2·H2O(mpa＝间苯二甲酸,L=4'-(4-甲氧基苯基)-2,2':6'2'-三联吡啶),并通过红外光谱、元素分析和热重分析对该配合物进行了表征,采取X射线单晶衍射测定了其结构.该配合物属于单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数:a=22.803(5)(A),b＝9.608(2)(A),c=27.436(1)(A),β＝121.88(2)°,最终偏离闪子R1＝0.108 2,wR2=0.245 2.     

镝在具有K_2NiF_4型结构的A_2BO_4(A=Dy~(3+)/Sr~(2+),B=Ni,Mn,Fe,Co)化合物中的掺杂和X射线衍射表征

本文用多晶X射线衍射技术,研究重稀土镝嫡在具有K_2NiF_4型结构A_2BO_4(A=Dy/Sr,B=Ni,Mn,Fe,Co)化合物中的掺杂,发现在空气气氛中,在1200°至1400℃温度范围内,Ni、Mn能与Dy~(3+)/Sr~(2+)形成Dy_(0.5) Sr_(1.5)MO_4(M=Ni,Mn)复合氧化物,四方晶系,空间群为D_(4h)~(17)—I_4/mmm;Fe、Co未能与Dy~(3+)/Sr~(2+)形成A_2BO_4型化合物,只能与Sr形成A_2BO_4或A_2B_2O_5型化合物.Co和Fe可以取代Dy_(0.5)Sr_(1.5)NiO_4化合物中最多约0.25％Ni(摩尔百分数)而保持四方相结构稳定.Dy~(3+)/Sr~(2+)与过渡金属元素能否形成A_2BO_4型化合物,决定Dy~(3+)与它们之间容纳因子t值.给出了Dy_(0.5)Sr_(1.5)MO_4(M=Mn,Ni,Ni_(0:75)Co_(0:25),Ni_(0:75)Fe_(0:25)的粉末衍射图和数据.     

多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线

采用化学气相沉积(CVD)法,在1050℃的温度下,以多孔硅(PS)为衬底,成功地制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)和光致发光(PL)谱对样品的物相、形貌、成分及发光性质进行了分析.研究结果表明,产物为六方纤锌矿结构的GaN纳米线,纳米线的直径范围为30nm到100nm,长度达几十微米,位于376.2nm处有一带边发射峰,在435.8nm处有一个因缺陷引起的弱发光峰.最后简单讨论了制备GaN纳米线的相关化学反应和生长机制.     

哒嗪与噻吩共聚物的金属催化法合成及其表征

在二价镍配合物催化剂存在下,用3,6-二氯哒嗪与2,5-二溴噻吩格氏(G rignard)试剂共聚合成了哒嗪与噻吩共聚物,并利用红外光谱(FT-IR),核磁共振谱(1H-NM R)等对其结构和性能进行了表征.该合成方法所得共聚物的收率为75%,而且溶解于DM F、DM SO等普通溶剂.共聚物的紫外-可见吸收光谱(UV-v is)中在410nm处观察到最大吸收峰.用粉末X-射线衍射(XRD),热重分析(TGA)对所得聚合物的结晶性和热稳定性也作了初步探讨.     

电荷转移配合物(C7H10NO)3[PW12O40]·6H2O的合成、性质及晶体结构

以十二钨磷酸和对甲氨基苯酚硫酸盐为原料合成了组成为(C7H10NO)3[PW12O40].6H2O的新型电荷转移配合物,通过元素分析、红外光谱、溶液紫外-可见光谱、固体漫反射光谱、X光电子能谱、循环伏安、热重-差热分析和X射线单晶衍射对其进行了表征.配合物晶体属单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数:a=1.504 84(16)nm,b=2.966 8(3)nm,c=1.504 84(16)nm,β=117.82°,V=5.941 8(11)nm3,Dc=3.753 g/cm3,Z=4.结构分析表明,化合物分子由1个杂多阴离子,3个C7H10NO 阳离子和6个结晶水分子组成.电子光谱显示,在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中或固态情况下有机底物和杂多阴离子间存在电荷转移作用.热分析表明配合物的热分解分3步进行,其杂多阴离子分解温度为588.4℃.     

一种十八元环Cd(Ⅱ)配合物的合成及其荧光性能

以吡啶类Schiff碱衍生物吡啶-3-甲醛缩4-氨基安替比林和Cd(NO3)2·4H2O为原料,采用溶剂热法合成了一个十八元环结构的配合物Cd2(NO3)4(L3)4(L3=吡啶-3-甲醛缩4-氨基安替比林),用红外光谱、拉曼光谱、X射线粉末衍射、单晶X射线衍射等手段对配合物的单晶结构进行了表征.该配合物属三斜晶系,空间群P-1,晶胞参数a=1.058 90(11)nm,b=1.222 15(12)nm,c=1.546 20(15)nm,α=74.243 0(10)°,β=78.974 0(10)°,γ=69.872 0(10)°,V=1.796 9(3)nm3,Z=2,Dc=1.514 8g/cm3,F(000)=836,μ=0.673mm-1,R1=0.033 8,ωR2=0.108 0(I2σ(I)).室温固态荧光测试显示,配合物在513nm(λmax)具有强的荧光吸收.     

稀土硝酸盐与a一经基异丁酸酉己合物的合成及表征

在甲醉溶液中合成了十五种稀土硝酸盐与a-轻基异丁酸(HIBA)的固体配合物.用元素分析、红外光谱、差热和热重分析、z一射线粉未衍射及摩尔电导等方法对配合物进行了表征.配合物的组成为:Ln (HIB)zNO,·2Hz0 (Ln=Ce一Nd).和Ln (HIB)zNO,·3HZ0(Ln=La,Sm一Lu.Y)     

青田绿泥间蜡石一维晶体结构的研究

1987年,在浙江省青田叶蜡石矿床中发现了我国第一种规则间层粘土新矿物绿泥间蜡石.国际矿物委员会于1990年2月承认该矿是世界上第八种规则间层粘土矿物.绿泥间蜡石呈放射状晶体,硬度2.1,比重2.75kg·dm~(-3)左右,有分凝相锂绿泥石共生.经电子探针、原子吸收和热重分析,并假定一份绿泥间蜡石和X份锂绿泥石共存,得到该矿的化学式为(Li_(0:730)Al_(4:180))(Si_3AlO_(10))(OH,O)_8Al_2(Si_4O_(10))(OH)_2,我们用多晶X射线衍射结构分析方法,测定了该矿的晶体结构.     

溶剂热法合成花状Ni磁性粉体及表征

采用一种简单的溶剂热发成功的合成了花状的Ni磁性粉体.所得样品的物相用X射线衍射(XRD)仪表征,形貌通过电子扫描显微镜(SEM)观测,磁性用振动样品磁强计(VSM)测试.结果表明产品为面心立方结构(fcc)的镍单质,形貌为花状,每个花的直径约为2～5μm之间.样品在室温下表现出铁磁性,饱和磁化强度(Ms)为52.9emu/g,剩磁(Mr)为14.25 emu/g,矫顽力(Hc)为140 Oe.     

晶种诱导水热合成二硫化钴CoS2粉体及结构精修

采用水热法,以EDTA作为螯合剂,加入N iSe2作为晶种,在碱性条件下合成CoS2粉体.借助X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的晶相组成及形貌进行表征,利用R ietve ld法及M aud程序对样品进行结构精修.R ietve ld精修结果表明,所得样品具有AB2型立方结构,空间群Pa3,晶格常数a=5.5340,并用M aud程序所得精修数据来表征产物晶粒形貌的立体结构.     

羊毛接枝改性Ⅰ.羊毛与丙烯腈辐射接枝共聚反应

本文以新疆细羊毛为接枝基体,采用共辐照法,研究了剂量、剂量率和单体浓度对羊毛与丙烯腈伽玛辐射接枝共聚反应的影响,同时,用IR谱、X射线衍射谱和热分析仪对纤维接枝共聚物进行了结构表征。     

ZnO多枝纳米棒水热法生长及其光学性质

以硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和六亚甲基四胺(C6H12N4)为原料,采用水热法在90℃生长出具有多枝六方纳米棒的ZnO纳米结构,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.观察到多枝纳米棒的形成和生长情况,发现多枝ZnO纳米结构由单根纳米棒演化而来,不同发展阶段样品的PL谱呈现出强的黄绿光发射现象.样品的高斯拟合PL谱揭示了没有分枝的纳米棒样品中,氧间隙缺陷远多于氧空位缺陷,而分枝的ZnO样品中氧间隙缺陷与氧空位缺陷浓度的比值降低.     

碳式碳酸钴分解产物的微量粉末X射线衍射分析

研究了碱式碳酸钴的氮气中的热分解反应,测定了其热重分析曲线,并用微量粉末X射线衍射法（样品重量约6mg)对其热分解的固体残留物进行了表征。实验结果表明：在339－394℃温度范围内生成尺寸16－18nm的Co3O4与CoO纳米晶混合物,在700℃的最终产物为尖晶石型Co2O4.计算的晶胸参数为：α=0.8084nm,V=0.5283nm^3,Z=8,Dcalc=6.073g/cm^3,与常规X射线衍射分析的结果相一致。