Theoretical study on the mechanism for the excited-state double proton transfer process of an asymmetric Schiff base ligand

Excited-state double proton transfer (ESDPT) in the 1-[(2-hydroxy-3-methoxy-benzylidene)-hydrazonomethyl]-naphthalen-2-ol (HYDRAVH₂) ligand was studied by the density functional theory and time-dependent density functional theory method. The analysis of frontier molecular orbitals, infrared spectra, and non-covalent interactions have cross-validated that the asymmetric structure has an influence on the proton transfer, which makes the proton transfer ability of the two hydrogen protons different. The potential energy surfaces in both S₀ and S₁ states were scanned with varying O-H bond lengths. The results of potential energy surface analysis adequately proved that the HYDRAVH₂ can undergo the ESDPT process in the S₁ state and the double proton transfer process is a stepwise proton transfer mechanism. Our work can pave the way towards the design and synthesis of new molecules.     

CdS/Si nanofilm heterojunctions based on amorphous silicon films:Fabrication,structures,and electrical properties

Shortening the distance between the depletion region and the electrodes to reduce the trapped probability of carriers is a useful approach for improving the performance of heterojunction.The CdS/Si nanofilm heterojunctions are fabricated by using the radio frequency magnetron sputtering method to deposit the amorphous silicon nanofilms and Cd S nanofilms on the ITO glass in turn.The relation of current density to applied voltage(I-V)shows the obvious rectification effect.From the analysis of the double logarithm I-V curve it follows that below~2.73 V the electron behaviors obey the Ohmic mechanism and above~2.73 V the electron behaviors conform to the space charge limited current(SCLC)mechanism.In the SCLC region part of the traps between the Fermi level and conduction band are occupied,and with the increase of voltage most of the traps are occupied.It is believed that Cd S/Si nanofilm heterojunction is a potential candidate in the field of nano electronic and optoelectronic devices by optimizing its fabricating procedure.     

基于有限体积虚拟区域方法的两相流动直接模拟

为提高计算效率，提出有限体积法离散下的虚拟区域颗粒两相流动直接模拟方法.在控制方程中加入相应的虚拟区域源项，保证了颗粒内部的刚体运动特性.该源项中含有颗粒信息部分及流体信息部分.在每次迭代后，对源项中的流体信息部分进行更新，从而更好地保证颗粒内速度的刚体分布.计算静止颗粒圆柱绕流及单个颗粒的沉降过程，验证了算法的准确性.     

组织忘却对组织惰性的影响研究—–环境动态性与创新导向的调节作用

组织惰性是客观存在于组织机体内的消极行为表现, 对组织的可持续发展产生阻碍作用. 如何克服组织惰性、提升组织效率是组织惰性研究的关键问题. 本文主要探讨了组织忘却对组织惰性的影响作用. 以长三角地区的260个调查样本为研究对象, 对组织忘却与组织惰性的关系进行了分析, 并探讨了环境动态性、创新导向以及环境动态性和创新导向交互在两者之间的调节作用. 结果表明 组织忘却对组织惰性具有显著的负向作用, 环境动态性和创新导向均显著正向地调节了两者之间的负向作用, 环境动态性和创新导向的交互对两者之间的关系具有调节作用, 但调节作用最强的情况出现在环境动态性或创新导向单方面较强, 而非环境动态性和创新导向两者均强时.     

磷酸酯类前药的合成方法与应用

磷酸酯类前药与原药相比,不仅能够提高药物靶向性、稳定性和生物利用度,减少药物毒副作用,还能掩蔽药物不适气味、提高水溶性从而改善给药途径。含羟基药物的磷酸酯化是该类药物前药设计的重要方法之一。本文根据中心磷原子的价态和化合物结构进行分类,综述了各种P(Ⅴ)四配位分子、P(Ⅲ)三配位分子和H-亚磷酸酯类化合物作为磷酸酯化试剂在磷酸酯类前药合成方法中的研究进展,并阐述了这些磷酸酯类药物的应用,最后总结了各类磷酸酯化试剂的优势与局限,并结合连续流反应技术应用案例展望了其发展趋势。     

pH控制硫酸锰骨架的演化及其晶体结构

在DMF/H2O/CH3OH的混合体系中,反应温度为170℃,Mn SO4·4H2O盐溶液在p H=5和7的条件下,加热72小时,最终得到了结构不同的硫酸锰骨架[Mn2(SO4)3]·(H3O)2(1)和[Mn3(SO4)2(OH)2(H2O)2](2)。化合物结构通过单晶X-射线和红外光谱所表征,相应的晶胞参数:化合物1,立方晶系,空间群:P213,a=10.2009(12),V=1061.49(37)3,Goo F=1.158,Flack parameter 0.02(2),R1=0.0186(I2sigma);化合物2,四方晶系,空间群:Pbcm,a=7.3214(15),b=9.984(2),c=13.291(3),V=971.5(4)3,Goo F=1.063,R1=0.0227(I2sigma);单晶X射线分析显示化合物1是一个三维单手性硫酸锰骨架,化合物2是一个非手性羟基硫酸锰骨架。实验结果说明,p H值对硫酸锰骨架的改变起重要作用。     

基于P31荧光粉的像增强器余辉测量方法研究

荧光屏余辉在高帧频速光子计数等系统应用中起着决定性作用。GJB 7351-2011《超二代像增强器通用规范》荧光屏余辉试验方法中规定光脉冲作为激励源，该方法中光脉冲激励源停止后光源照度下降缓慢，造成在短余辉粉（μs级）和中余辉粉（ms级）的余辉时间测量中测试结果不准。针对该问题，提出了一种在光照持续工作状态下，用光电阴极电压脉冲信号作为激励源的荧光屏余辉测试方法，该方法中光电阴极超快响应时间（一般为1 ns左右）和脉冲电压信号的较短边沿时间（一般可控制在10 ns以内）特性改善了激励源自身时间响应对荧光屏余辉测试结果准确性带来的影响。基于该方法建立了一套微光像增强器荧光屏余晖测量装置，对P31荧光粉的国产三代微光像增强器余辉进行了重复性测量，对测量不确定度进行了误差分析，其扩展不确定度为3.2%，达到了传统光电测试仪器的准确度要求，可满足微光像增强管荧光屏余辉测量的要求。该研究成果为更高性能产品提供了一种检测手段。     

一种非正交对称条带束流位置监测器设计

介绍了一种条带束流位置监测器(BPM)的设计与仿真方法。在国家同步辐射实验室"太赫兹近场高通量材料物性测试系统"工程项目中,针对波荡器出口处真空室非正交对称性的问题,设计了矩形真空室和跑道形真空室下的两种非正交对称性条带BPM,并与传统的圆形真空室下条带BPM进行对比。基于边界元法,利用MATLAB软件分别对三种真空室下的条带BPM进行建模和仿真。仿真结果表明:相对于传统的圆形真空室下条带BPM,矩形和跑道形真空室下条带BPM灵敏度提高了30%,阻抗匹配误差相对降低了20%,束流位置拟合误差降低了80%。考虑加工精度,矩形真空室下的条带BPM更适用于该工程。