首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   2篇
  国内免费   1篇
力学   2篇
物理学   2篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
介绍一种可以用来测量曲面试件表面应分量(εz,εθ,εzθ)的激光光栅显微图像检测技术(IGM),它能实现从小应变到大应变全过程的高精度定量测量。我们将这一技术成功地应用在铁基形状记忆合金(FSMA)管接头的结构设计中,在这项研究中,首先在管接头结构表面制作了变形的载体-位相型干涉光栅,由结构表面产生的衍射光通宵我学系统后形成新的干涉光栅,我们利用数字图像系统接收了逆相变前后各自的干涉图像,采用带  相似文献   
2.
刘文西  赵长安 《物理学报》1981,30(11):1533-1538
对于电子衍射谱的高级劳厄带斑点标定,提出一种新的方法。直接通过测定亮衍射斑的点间距和向量合成来标定高级劳厄带第一个衍射斑的指数,进一步导出最靠近入射斑和其它的斑点指数。 关键词:  相似文献   
3.
Amorphous SiC films are deposited on Si (111) substrates by rf magnetron sputtering and then annealed at 1200℃ for different times by a dc self-heating method in a vacuum annealing system. The crystallization of the amorphous SiC is determined by Raman scattering at room temperature and X-ray diffraction. The experimental result indicates that the SiC nanocrystals have formed in the films. The topography of the as-annealed films is characterized by atomic force microscopy. Measurements of photoluminescence of the as-annealed films show blue or violet light emission from the nanocrystalline SiC films and photoluminescence peak shifts to short wavelength side as the annealing time decreases.  相似文献   
4.
一种新型的接触压力传感器   总被引:1,自引:0,他引:1  
毛毳  刘文西 《实验力学》1999,14(2):251-255
利用碳材料的压阻效应,研制开发了一种新型的接触压力传感元件碳膜压力传感器,可以直接用它来定量测量两接触体间的接触压力.文中对接触压力传感器的压力电阻(σ-ΔR/R)关系进行了标定,测定了铁基形状记忆合金管接头与被连接管间的接触压力.经与光力学一有限元数值分析混合法结果进行比较后表明;这种新型的碳膜式接触压力传感器性能稳定,操作简便  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号