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1.
以单相多晶Cu1+x Al1-x O2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+x Al1-x O2薄膜的结构与光电性能.结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+x Al1-x O2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55;,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04 Al0.96 O2的室温电导率最高,为1.22×10-2 S/cm;在近室温区(200~300 K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式.  相似文献   
2.
The numerical moire method with sensitivity as high as 0.03 nm has been presented. A quantitative displacement and strain analysis program has been proposed by using this method. It is applied to an edge dislocation and a stacking fault in aluminum. The measured strain of edge dislocation is compared with theoretical prediction given by Peierls-Nabarro dislocation model. The displacement of stacking fault is also obtained.  相似文献   
3.
We present a strain analysis of an edge dislocation core, and a detailed discussion of the Foreman dislocation model. In order to examine the model, the quantitative measurement of strain field around an edge dislocation in aluminum is performed, and high-resolution transmission electron microscopy and geometric phase analysis are employed to map the strain field of the edge dislocation core in aluminum. The strain measurements are compared with the Foreman dislocation model, showing that they are in good agreement with each other when 0.7 ≤ a ≤ 1.5.  相似文献   
4.
为定量测试喷射沉积合金GP区周围的晶格应变的分布,利用喷射成形技术制备了Al12Zn2.4Mg1.1Cu合金。随后对合金进行热挤压、758K固溶2小时和393K时效20小时处理。利用高分辨透射电子显微镜(High Resolution Transmission Electron Microscopy,HRTEM)和几何相位分析(Geometric Phase Analysis,GPA)软件对GP区的结构和应变场进行了测量和分析。结果表明,GP区附近的应变值在各方向差别较大,沿GP区惯习面法线方向的应变最大(εxx=-0.092),与惯习面平行方向上的应变最小(εyy=-0.004)。该项结果可解释GP区附近位错运动的差异:由于应变场在各方向上存在较大差别,产生的应变强化效果不同,导致阻碍位错运动的能力也有所不同。  相似文献   
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