| Cu过量对Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵学平,张铭,白朴存,侯小虎,刘飞,严辉.Cu过量对Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜结构与光电性能的影响[J].人工晶体学报,2019,48(4):633-640. |
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| 作者姓名： | 赵学平 张铭 白朴存 侯小虎 刘飞 严辉 |
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| 作者单位： | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,呼和浩特,010051;北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11762014);内蒙古工业大学科学研究项目(ZY201808) |
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| 摘 要： | 以单相多晶Cu1+x Al1-x O2陶瓷做靶材,采用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu过量的Cu1+x Al1-x O2(0≤x≤0.04)薄膜.通过X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电导率的测试,表征了不同含Cu量Cu1+x Al1-x O2薄膜的结构与光电性能.结果表明,沉积态薄膜经退火处理后,由非晶转变为具有铜铁矿结构的纯相Cu1+x Al1-x O2;退火态薄膜在可见光区域的平均透过率约为55;,平均可见光透过率不受Cu含量的影响;退火态薄膜样品的室温电导率随Cu含量的增加而增大,Cu1.04 Al0.96 O2的室温电导率最高,为1.22×10-2 S/cm;在近室温区(200～300 K),退火态薄膜均很好地符合Arrhenius热激活模式.
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| 关 键 词： | CuAlO2薄膜 射频磁控溅射 光电性能 |
Effect of Cu-Excess on the Structural and Optoelectronic Properties of Cu1 +xAl1-xO2(0≤x≤0.04) Thin Films |
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| ZHAO Xue-ping,ZHANG Ming,BAI Pu-cun,HOU Xiao-hu,LIU Fei,YAN Hui.Effect of Cu-Excess on the Structural and Optoelectronic Properties of Cu1 +xAl1-xO2(0≤x≤0.04) Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(4):633-640. |
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| Authors: | ZHAO Xue-ping ZHANG Ming BAI Pu-cun HOU Xiao-hu LIU Fei YAN Hui |
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