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1.
SiO_2掺杂量对氧化锌压敏电阻性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用固相法制备了ZnO压敏陶瓷,采用X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)对相组成和微结构进行了研究。结果表明:掺杂适量的SiO2可以促进晶粒均匀生长,提高微观结构的均匀性,使非线性系数增加,有利于晶界玻璃化,提高稳定性并减小泄漏电流;掺杂过量的SiO2会抑制晶粒长大,有利于提高压敏电压,但会因晶界相过于丰富导致泄漏电流大幅提高。样品烧结密度在SiO2含量为0.7 wt%达到最大值。  相似文献   
2.
本文采用熔盐法制备了一系列的复合碱土金属铌酸盐样品,并通过SEM和XRD研究了原料Sr/Ba对所得产物的形貌和相组成的影响。结果表明:采用不同的Sr、Ba源,所得产物的形貌不一样,采用SrCl2和Ba(NO3)2时,在1200℃下煅烧4 h可以得到直径和长径比均一的产物。所得产物的尺寸随着Sr/Ba比增加而减小。采用SrCl2和Ba(NO3)2时,所得产物主要为Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78和KBaSrNb5O15,采用其它原料时,除含有Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78和KBaSrNb5O15主相外,还含有其它杂相。  相似文献   
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