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为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体. 相似文献
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对固相合成法制备的有机红外半导体ErPc2进行了碘掺杂,有效地将ErPc2的电阻率降低了约3个数量级.研究了本征和碘掺杂有机红外半导体ErPc2电阻的温度依赖关系,碘的掺杂除显著地降低了ErPc2材料的电阻外,其电阻的温度特性没有本质的变化,本征和碘掺杂ErPc2都表现出指数型的电阻温度依赖关系.碘掺杂有效地降低了载流子的热激活能,使更多的载流子得以参与导电,掺杂后指前因子的减小也为降低材料的电阻
关键词：
有机红外半导体
酞菁铒
掺杂
电学性质 相似文献
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