ZnSb2O4纳米正三角形的合成与生长机理讨论

以混合的ZnO粉和金属Sb作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了ZnSb2O4纳米正三角形.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及附带的能谱仪对它们的结构和成分进行了表征.并对ZnSb2O4纳米正三角形的生长机理进行了讨论.     

铟掺杂的氧化锌纳米带的制备和发光特性

以混合的ZnO粉和金属In作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了In掺杂的ZnO纳米带.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及附带的能谱仪对它们的结构和成分进行了表征.结果表明,ZnO纳米带沿<1010>方向生长;In的掺杂浓度是21;原子分数.讨论了ZnO纳米带的形成机制和光致发光特性.     

Co掺杂对Mn$lt;sub$gt;3$lt;/sub$gt;Sn$lt;sub$gt;1-$lt;em$gt;x$lt;/em$gt;$lt;/sub$gt;Co$lt;sub$gt;$lt;em$gt;x$lt;/em$gt;$lt;/sub$gt;C$lt;sub$gt;1.1$lt;/sub$gt;化合物的磁性质、熵变以及磁卡效应的影响

利用固态反应法制备了Mn₃Sn_1-xCo_xC_1.1 （x=0.05,0.1,0.2） 系列化合物,研究了Co掺杂对其磁性质、相变、熵变的影响. 随着Co掺杂量的增加,样品的居里温度由283 K先降到212 K （Mn₃Sn_0.9Co_0.1C_1.1） 后又升到332 K （Mn₃Sn_0.2Co_0.8C_1.1）,相变类型由一级相变逐渐转变为二级相变. 增大Co的掺杂量,Mn₃Sn_1-xCo_xC_1.1化合物的熵变峰值逐渐减小,磁熵变温区由9 K展宽到300 K. 当Co掺杂量为0.2时,相对制冷量达到最高,为103 J/kg （磁场强度为1.6 MA/m）. 由于室温附近良好的磁致冷效应,该类材料在磁制冷领域可能具有重要的应用前景. 关键词： 磁性质 相变 磁卡效应 相对制冷量     

Co掺杂对Mn_3Sn_(1-x)Co_xC_(1.1)化合物的磁性质、熵变以及磁卡效应的影响

利用固态反应法制备了Mn3Sn1-xCoxC1.1(x=0.05,0.1,0.2)系列化合物,研究了Co掺杂对其磁性质、相变、熵变的影响.随着Co掺杂量的增加,样品的居里温度由283 K先降到212 K(Mn3Sn0.9Co0.1C1.1)后又升到332 K(Mn3Sn0.2Co0.8C1.1),相变类型由一级相变逐渐转变为二级相变.增大Co的掺杂量,Mn3Sn1-xCoxC1.1化合物的熵变峰值逐渐减小,磁熵变温区由9 K展宽到300 K.当Co掺杂量为0.2时,相对制冷量达到最高,为103 J/kg(磁场强度为1.6 MA/m).由于室温附近良好的磁致冷效应,该类材料在磁制冷领域可能具有重要的应用前景.