碲溶剂法生长的Zn1-xCrxTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究

利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态.结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrx Te晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集;红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则.     

Cr2+∶ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能

采用物理气相输运法( PVT),以Cr2+∶ ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体.紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019 atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度.荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s.数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18cm2和2.3×10-18 cm2.     

ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能

采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶ Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征.紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570 ～ 750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收.低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595 ～ 630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射.进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成.利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(＜50 K)和高温(＞50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV.红外荧光谱分析表明,ZnTe∶ Cr晶体的室温荧光发射带为2～2.6 μm,荧光寿命为1.0 ×10-6s.     

ZnCl2·2NH4Cl结晶过程及其热分解行为

使用氯化锌(ZnCl2)和氯化铵(NH4Cl)制备了氯化锌铵(AZC,Ⅱ型,ZnCl2·2NH4Cl)晶体.采用X射线粉末衍射(XRD)技术研究了ZnCl2与NH4Cl摩尔比对晶体类型的影响.用热重分析(TC-DTG)手段研究了样品的热分解行为和非等温动力学特征.TG曲线结果表明AZC(Ⅱ)热分解由失NH4CI和ZnCl2热挥发两个步骤完成,TG和DTG曲线表明失NH4Cl包括4个微观过程.非等温分解动力学研究表明,失NH4Cl和znCl2热挥发两大步的表观活化能(E)分别为91.25 kJ·mol-1和104.76 kJ·mol-1,指前因子(A)分别为105.94s-1和104.51s-1.研究表明AZC(Ⅱ)晶体据具有良好热稳定性.晶体生长实验结果表明:合成(非提纯过的)AZC(Ⅱ)晶体可以用作制备ZnSe晶体的输运剂.