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以葡萄糖为前驱物,采用水热法合成了胶态碳球,然后利用胶态碳球制备了Co3O4/CoO/Co/石墨复合材料.此复合材料与其它研究者采用类似方法制备的物质相比具有完全不同的结构,它们是由多层不同物质组成的球形结构,其最外层是Co3O4,第二层是CoO,第三层是Co,最里面一层是石墨.采用循环伏安和恒电流充放电等方法对Co3... 相似文献
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表面活性剂碳化法合成Fe3O4/C复合物及其电化学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以水热法合成的包覆油酸的α-Fe2O3粒子为前驱体, 在氩气下500 °C煅烧1 h, 得到Fe3O4/C纳米复合物. 用傅里叶变换红外(FTIR)光谱, X射线衍射(XRD), 扫描电镜(SEM), X射线能量散射(EDX)谱, 高分辨透射电镜(HRTEM), 元素分析, 循环伏安(CV)和恒流充放电测试等方法对材料的结构、形貌、成分及电化学性能进行了表征. 结果表明: 所制备的Fe3O4/C复合物呈长约200 nm, 粗约100 nm的纺锤形, 表面碳层厚约1-2 nm, 碳含量为1.956%(质量分数); 这种复合物作为锂离子电池负极材料具有很好的循环稳定性(在0.2C (1C=928 mA·g-1)循环80次后具有691.7 mAh·g-1比容量)和倍率性能(在2C循环20次后依然有520 mAh·g-1比容量). 相对于未包覆的商业Fe3O4粒子, 复合物显著提高的电化学性能是由于碳包覆能防止粒子聚集, 提高导电性以及稳定固体电解质界面(SEI)膜. 相似文献
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可生物降解聚碳酸亚丙酯丁内酯微囊的制备 总被引:2,自引:0,他引:2
可生物降解聚碳酸亚丙酯丁内酯微囊的制备;聚碳酸亚丙酯丁内酯;γ-丁内酯;可降解微囊 相似文献
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β-环糊精固载硅胶薄层色谱法拆分盐酸克伦特罗对映体 总被引:1,自引:0,他引:1
以羧甲基纤维素钠为交联剂,将β-环糊精固载在硅胶GF254表面上,并用其制备薄层色谱板。使用该薄层板拆分了盐酸克伦特罗对映异构体。考察了薄层拆分中展开剂的影响,发现展开剂中醇的种类和比例对拆分效果有较大的影响。分别考察了10种醇与乙腈混合溶剂作展开剂对拆分的影响,结果显示,只有正丁醇-乙腈、仲丁醇-乙腈、叔丁醇-乙腈混合溶剂作展开剂可拆分盐酸克伦特罗对映体。薄层色谱法拆分盐酸克伦特罗对映体的条件为:以1.00 g β-环糊精固载在15.00 g硅胶GF254表面上,并用其制备薄层板,以乙腈-仲丁醇(体积比为20∶80)混合溶剂作展开剂,于室温下展开。在此条件下,盐酸克伦特罗对映体单体在薄层色谱板上的比移值Rf分别为0.34和0.72,分离度Rs为4.09,实现了基线分离,而且样品在薄层色谱板上的斑点大小一致,拆分效果最好。 相似文献
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应用循环伏安、极化曲线和交流阻抗等电化学方法研究了V(Ⅳ)/V(Ⅴ)电对在石墨毡复合电极上反应的速控步骤.结果表明,V(Ⅳ)/V(Ⅴ)电对在石墨毡电极上的反应属准可逆过程,且氧化过程包含有后置化学转化步骤;该过程Tafel斜率的实验值为0.124,而理论计算的,以电化学步骤作为控制步骤的Tafel斜率约0.12,两者吻合很好,表明该氧化过程受电化学步骤控制;以等效电路拟合不同极化电位下的交流阻抗,得出该电化学反应阻抗远大于其他阻抗,意味着电化学过程可能是电极反应的控制步骤,与实验得到的极化曲线分析结果相一致. 相似文献
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对甲苯磺酸掺杂聚吡咯的合成、表征及其对金属镁的防腐蚀性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以对甲苯磺酸为掺杂剂, 三氯化铁为氧化剂, 化学氧化吡咯制备了对甲苯磺酸掺杂聚吡咯. 考察了掺杂剂与氧化剂的用量对掺杂聚吡咯电导率的影响, 得到了高电导率聚吡咯的优化条件, 用UV, IR和SEM对其结构和形貌进行了表征. 结果表明, n(对甲苯磺酸)∶n(吡咯)∶n(三氯化铁)=0.75∶1∶0.5时, 合成的聚吡咯的形貌规则, 电导率达42.7 S•cm-1. 以聚吡咯为功能成分, 环氧树脂为成膜物质, 得到一种功能膜, 旋涂于金属镁表面, 采用极化曲线和开路电位考察了含有聚吡咯的膜层对金属镁的防腐蚀性能. 结果表明, 含有聚吡咯的膜层对金属镁有很好的防腐蚀性能, 腐蚀电流为0.0981 A, 腐蚀电位为-0.88 V, 在膜层与金属镁之间形成了一层钝化膜. 相似文献
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铜在氨水介质铁氰化钾抛光液中CMP的电化学行为研究 总被引:3,自引:1,他引:2
应用电化学测试技术研究了介质浓度(包括pH值)和成膜剂浓度对铜表面成膜及铜抛光过程的影响,探讨了成膜厚度及其致密性与抛光压力、抛光转速的关系,考察了压力及转速对抛光过程的作用,找出影响抛光过程及抛光速率的电化学变量。用腐蚀电位及腐蚀电流密度的变化解释了抛光过程的电化学机理,通过成膜速率及除膜速率的对比得出抛光过程的控制条件。证明了在氨水溶液介质中、以铁氰化钾为成膜剂、纳米γ-Al2O3为磨粒的抛光液配方是可行的,其抛光控制条件为压力10psi、转速300r/min。 相似文献
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