酚酞型聚芳醚砜(Ⅶ):K_2C0_3存在下PP/DCDPS体系聚合反应机理的研究

利用~(13)C-NMR方法研究了弱碱K_2CO_3存在下酚酞成盐反应及其与活性双卤砜亲核缩聚反应过程中的结构特征。对一系列碱性条件下酚酞(PP)与4,4'-二氯二苯砜(DCDPS)的缩聚反应的研究表明任何影响内酯结构酚酞盐生成的因素都会严重阻碍聚合反应的进行。对模型化合物存在下K_2CO_3在极性非质子溶剂中的溶解/解离行为的研究结果表明酚酞类Card。双酚与固体K_2CO_3之间可能存在着一种特殊的络合作用。基于我们系列研究结果,本文中总结提出了弱碱K_2CO_3存在下酚酞的反应机理。     

中子单粒子效应研究现状及进展

回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。     

酚酞型聚芳醚砜——Ⅱ.侧基结构对Cardo双酚聚合反应性的影响

基于在“一步法”聚合反应过程中发现的酚酞对反应有特殊的“自催化”作用,本文合成了几种具有与酚酞类似结构的Cardo双酚,并通过对其聚合反应规律的研究,进一步探讨“自催化”作用的本质。实验结果表明,这类Cardo双酚也较普通结构双酚更易于进行异相成盐反应,表现为其聚合反应速度的明显加快。     

敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性

敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片（LiF(Mg, Ti)-M TLD）是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器。对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片进行了射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究, 测量了射线辐照后4种敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差, 比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数, 并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律。研究结果表明, 北京防化研究院生产的剂量片性能最优, 试验样品在吸收剂量为6 Gy(Si)时读数变异系数为3.11%, 重复性指标在5%以内, 线性响应上限在50~100 Gy(Si)之间。吸收剂量为150 Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%。     

一种新型聚酯醚砜热致液晶高分子的合成与表征

由对苯二甲酸、４，４＇－双（４－羟基苯氧基）二苯枫和对羟基苯甲酸合成了具有液晶特性的一种新型聚酯醚砜．从反应介质预聚合和后聚合等因素讨论了提高聚合物粘度的途径，以ＤＳＣ、偏光显微镜和Ｘ－线衍射仪等方法表征了其液晶特性．     

酚酞型聚芳醚砜(Ⅶ):K2C03存在下PP/DCDPS体系聚合反应机理的研究

 利用¹³C-NMR方法研究了弱碱K₂CO₃存在下酚酞成盐反应及其与活性双卤砜亲核缩聚反应过程中的结构特征。对一系列碱性条件下酚酞(PP)与4,4'-二氯二苯砜(DCDPS)的缩聚反应的研究表明任何影响内酯结构酚酞盐生成的因素都会严重阻碍聚合反应的进行。对模型化合物存在下K₂CO₃在极性非质子溶剂中的溶解/解离行为的研究结果表明酚酞类Card。双酚与固体K₂CO₃之间可能存在着一种特殊的络合作用。基于我们系列研究结果,本文中总结提出了弱碱K₂CO₃存在下酚酞的反应机理。     

Synergistic effects of neutron and gamma ray irradiation of a commercial CHMOS microcontroller

This paper presents the experimental results of a combined irradiation environment of neutron and gamma rays on 80C196KC20,which is a 16-bit high performance member of the MCS96 microcontroller family.The electrical and functional tests were made in three irradiation environments:neutron,gamma rays,combined irradiation of neutron and gamma rays.The experimental results show that the neutron irradiation can affect the total ionizing dose behaviour.Compared with the single radiation environment,the microcontroller exhibits considerably more severe degradation in neutron and gamma ray synergistic irradiation.This phenomenon may cause a significant hardness assurance problem.