等离子辅助制备单元层厚度的铁电薄层及其铁电性的表征

我们报道了一种通过机械剥离和Ar⁺等离子体减薄过程的组合来制备3.6 nm厚的二维双（苄基铵）四氯化铅（A₂PbCl₄）的薄层。压电力显微镜测量表明，Ar⁺等离子体蚀刻后单元层厚度的BA₂PbCl₄薄层的铁电性仍然保持。