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1.
Sm2Fe17合金的氢化-歧化过程演化   总被引:9,自引:1,他引:9  
通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDX)等手段重点研究了Sm2Fe17合金在氢化-歧化过程中的相组成、相的变化以及微观结构的演化规律。研究表明:在0.1MPa的H2气氛下,Sm2Fe17合金首先吸氢;400℃时合金出现部分脱氢现象;在T≥500℃逐渐开始歧化为SmHx和α—Fe,同时生成了大量的微晶或非晶组织;随着温度的升高,合金中的微晶非晶逐渐晶化,750℃时晶化完全,晶粒长大至20~100nm。通过对Sm2Fe17合金的氢化一歧化过程研究,建立了该过程的微观结构变化规律的物理模型。  相似文献   
2.
二硫化锡由于其理论容量高、氧化还原电位合适,而成为钠离子电池负极材料的研究热点之一。从纯二硫化锡、二硫化锡/碳复合物和二硫化锡/石墨烯复合物等3个方面对二硫化锡负极材料在近5年的发展进行了概述。  相似文献   
3.
六方氮化硼(h-BN)晶格结构是一种类六方对称复式超晶格结构。具有h-BN晶格构型的光子晶体以其宽光子带隙特点受到国内外学者的广泛关注。本文利用不同尺度低压气体放电管与Al2O3介质棒周期性排列,构建了新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体,实现其空间结构和等离子体参数的动态调控。利用微波透射谱对比研究了h-BN型超晶格与简单三角晶格等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目。分析了放电电流、介质棒阵列数对不同频段光子带隙的影响,以及电磁波入射角度对电磁传输特性的影响。结果表明:等离子体的引入不仅能够形成新的光子带隙,而且可以选择性地使部分禁带位置发生移动;相对于简单三角晶格,h-BN型超晶格等离子体光子晶体呈现出更多光子带隙;Al2O3介质棒阵列数对等离子体光子晶体禁带位置、宽度和数目均具有重要影响。电磁波入射角度变化越大,电磁传输特性差别越显著,透射谱相关性越差。本文所设计的新型h-BN型超晶格等离子体光子晶体为制作可调谐光子晶体提供了新的思路,在微波和太赫兹波控制领域具有潜在应用价值。  相似文献   
4.
5.
采用计算机实测技术对弹簧劲度系数的测量方法进行设计,其测量结果与传统方法测量.  相似文献   
6.
以钨酸钠为钨源,以乙二胺四乙酸二钠为碳源经过高温煅烧制备了含W的介孔碳材料,采用XRD、SEM、FT-IR、BET对含钨的介孔碳材料进行表征。结果表明,煅烧后介孔碳材料的表面形成了粒状含有结晶水的氧化钨(WO_3·H_2O)。相比于纯的介孔碳材料,含钨介孔碳材料的总比表面积减小。以含W介孔碳材料为催化剂,H_2O_2作为氧化剂,1-丁基-3-甲基咪唑氟硼酸盐([BMIM][BF_4])离子液体作为萃取剂,组成萃取-催化氧化脱硫体系(ECODS)并研究其对模拟油中二苯并噻吩脱除效果。考察了氧化钨负载量、反应温度、H_2O_2加入量、催化剂用量、离子液体用量以及不同类型硫化物对二苯并噻吩脱除的影响。在最佳反应条件下,催化剂对二苯并噻吩(DBT)、4,6-二甲基二苯并噻吩(4,6-DMDBT)、苯并噻吩(BT)、噻吩(TH)和真实汽油的脱除率分别达到98.6%、65.6%、61.2%、57.8%和64.3%。催化剂回收利用五次之后脱硫率略有降低,仍高达95.2%。  相似文献   
7.
过渡金属氧化物是一种具有高效催化活性的电解水析氧反应催化剂,但低电子电导率限制了其催化活性,将活性纳米材料与导电基质材料复合,是构筑高性能电极材料或电化学催化剂的有效途径。采用溶剂热法制备了负载在C3N4上的聚合卟啉,经Co元素修饰和热处理后得到Co3O4/NC催化剂,采用XRD、SEM、TEM、XPS和FT-IR等方法对催化剂的物理化学性质进行表征。结果表明,Co3O4/NC-600具有超小纳米Co3O4结构,且其含氮量高,吡啶N与Co之间产生了协同作用,催化剂在OER反应中表现出良好的催化性能,其Tafel斜率仅为66.4 mV/dec,达到10 mA/cm2的电流密度所需的过电势为343.3 mV。  相似文献   
8.
胶体粒子是肿瘤治疗中最常用的载体, 尽管在过去的研究中不同的胶体粒子已经被广泛报道, 但如何进一步提高胶体粒子的药物递送效率仍然存在着一些挑战. 大量的研究表明胶体粒子的尺寸、形状、结构和表面化学等物理化学性质在药物递送过程中具有重要的作用, 但胶体粒子的机械性能对药物递送过程的影响研究和综述相对较少. 本综述从不同机械性能胶体粒子的制备与表征出发, 概述了胶体粒子的机械性能对血液循环、肿瘤富集、渗透以及细胞内化过程的影响, 并对该领域存在的问题以及发展的趋势进行了展望. 该综述有助于帮助科学工作者更好地理解胶体粒子的机械性能对药物递送的影响规律, 从而优化胶体粒子的设计并提高纳米药物的递送效率和生物利用率.  相似文献   
9.
We report a 1.8 μm two-section distributed Bragg reflector laser using butt-jointed In Ga As P bulk material as the waveguide core layer. The threshold current is 17 m A and the output power is 8 m W on average. The threshold current, output power, and emitting wavelength dependences on temperature are measured. The obtained wavelength tuning range is 10 nm. This device has potential applications in simultaneous multiple-gas detection.  相似文献   
10.
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