新型功能碳材料的高压截获

高性能功能材料在诸多领域具有广泛的应用前景,是人们一直关注的研究热点。高压可以有效地改变物质的原子间距和成键方式,是获得新型功能材料的重要途径。在碳材料的高压研究中,许多有趣的功能碳材料,如光学透明碳、高强度弹性碳和超硬非晶碳等,已经通过不同的碳前驱体合成。本文简要介绍了作者近年来在低维碳基纳米复合材料高压研究中取得的进展,基于设计的不同低维碳前驱体,高压下截获了具有超硬特性、新型压致共价聚合及发光增强的碳材料。     

Scalable Quantum Controlled Gates on Single-Photon Polarization Qubits Assisted by Nitrogen-Vacancy Centers Inside Single-Sided Optical Cavities

International Journal of Theoretical Physics - Quantum logic gates are the foundation of circuit-based quantum computation and quantum simulation. Multi-qubit quantum controlled gates are of vital...     

Theoretical analysis of dynamic behaviors of cable-stayed bridges excited by two harmonic forces

Nonlinear Dynamics - To better understand the dynamic behaviors of cable-stayed bridges, this study investigates the dynamic behaviors of a cable-stayed shallow arch subjected to two external...     

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料红光多重全息存储

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果.     

Effective stability for generalized Hamiltonian systems

An effective stability result for generalized Hamiltonian systems is obtained by applying the simultaneous approximation technique due to Lochak. Among these systems, dimensions of action variables and angle variables might be distinct.     

过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究

采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明：过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.     

Specular reflectance of cold-rolled aluminum surfaces

The specular reflectance of cold-rolled aluminum surface is studied using a fiber optic system. An approximation for the determination of surface roughness is presented.     

DNA体外缩合的研究进展

DNA缩合不仅是自然界常见的生理现象，也是非病毒载体介导基因转染的关键步骤。了解DNA体外缩合的性质与特征，将有助于设计出高效的非病毒转基因载体。本文综述了近十几年来以多价阳离子为缩合剂诱发的DNA体外缩合的研究进展，着重介绍了缩合的机理、过程、影响缩合的因素以及应用于转基因的最新成果。     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

三线性直接分解法分析高维灰色体系

对于由多个两维测量数据组成的三维阵，本文提出一种新三线性直接分解方法。采用高维ＰＣＡ分解，从三维阵中直接提取抽象光谱和抽象浓度，再结合ＱＺ算法，唯一地确定混合物中各组分光谱的浓度。该方法可以排除其它未知组分的干扰，适用于高维灰色体系定性定量分析和多点校准。用模拟数据讨论了光谱分离度对该方法的影响，应用于混合维生素Ｂ１、Ｂ２和Ｂ６的荧光分析，求得的光谱和浓度与实验值吻合很好。