Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

有机半导体在金属Ru(0001)上的界面特性研究

关键词：     

tetracene分子在Ru(100)表面的吸附结构及其电子态研究

利用紫外光电子能谱(UPS)、角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和扫描隧道显微镜(STM)等方法研究了tetracene分子在Ru(100)表面上吸附的电子态,吸附位置和吸附取向.UPS实验显示,与tetracene分子有关的光电子谱峰在费米能级以下2.1,3.5,4.8,6.0,7.1和9.2eV处;ARUPS结果表明,tetracene分子的分子平面基本平行于衬底表面;从STM图像中可以看到tetracene分子的长轴沿[0001]和[1■10]两个晶向.基于密度泛函理论的从头算计算证实了上述结论.当分子长轴沿[0001]晶向时,分子中心位置在衬底表面的“短桥位”上,当分子长轴沿[1210]晶向时,分子中心位置在衬底表面的“四原子中心空位”上.     

tetracene 分子在Ru(1010)表面的吸附结构及其电子态研究

利用紫外光电子能谱(UPS)、角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和扫描隧道显微镜(STM)等方法研究了tetracene分子在Ru(1010)表面上吸附的电子态，吸附位置和吸附取向.UPS实验显示，与tetracene分子有关的光电子谱峰在费米能级以下2.1, 3.5, 4.8, 6.0, 7.1和9.2 eV处；ARUPS 结果表明，tetracene分子的分子平面基本平行于衬底表面；从STM图像中可以看到tetracene分子的长轴沿［0001］和［1210］两个晶向.基于密度泛函理论的从头算计算证实了上述结论.当分子长轴沿［0001］晶向时，分子中心位置在衬底表面的“短桥位”上，当分子长轴沿［1210］晶向时，分子中心位置在衬底表面的“四原子中心空位”上. 关键词： tetracene分子 Ru(1010)表面 吸附结构 吸附电子态     

Ag(111)和Au(111)上铋的初始生长行为

半金属铋(Bi)的表面合金具有的Rashba效应,和其具体结构性质有重要关联.本文结合扫描隧道显微镜(STM)和密度泛函理论(DFT),系统地研究了Bi原子在Ag(111)和Au(111)上的不同初始生长行为.在室温Ag(111)上,连续的Ag2Bi合金薄膜会优先在Ag台阶边缘形成;在570 K Ag(111)上,随着...     

Growth,characterization, and Raman spectra of the 1T phases of TiTe2, TiSe2, and TiS2

High-quality large 1$T$ phase of Ti$X_2$ ($X ={\rm Te}$, Se, and S) single crystals have been grown by chemical vapor transport using iodine as a transport agent. The samples are characterized by compositional and structural analyses, and their properties are investigated by Raman spectroscopy. Several phonon modes have been observed, including the widely reported $A_{1g}$ and $E_g$ modes, the rarely reported $E_u$ mode ($\sim$183 cm$^{-1}$ for TiTe$_2$, and $\sim$185 cm$^{-1}$ for TiS$_2$), and even the unexpected $K$ mode ($\sim$85 cm$^{-1}$) of TiTe$_2$. Most phonons harden with the decrease of temperature, except that the $K$ mode of TiTe$_2$ and the $E_u$ and "$A_{2u}$/Sh" modes of TiS$_2$ soften with the decrease of temperature. In addition, we also found phonon changes in TiSe$_2$ that may be related to charge density wave phase transition. Our results on Ti$X_2$ phonons will help to understand their charge density wave and superconductivity.     

有机半导体perylene和tetracene在Ag(110)表面上有序薄膜的结构与电子态研究

利用紫外光电子能谱(UPS)和低能电子衍射(LEED)对银(110)表面上perylene与tetracene的生长进行了研究.LEED的结果表明：一个分子单层的perylene在银(110)表面上会形成C(6×2)的有序结构；一个分子单层的tetracene，观察到的则是C(4×2)的有序结构.根据UPS的测量，与perylene分子轨道有关的4个特征峰分别位于Frimi能级以下35，48，64和85eV处，与tetracene分子轨道有关的4个特征峰的结合能分别为3．4，49，59和94eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的测量表明，表面附近的perylene和tetracene分子平面平行于银衬底表面，tetracene分子的长轴可以确定沿［110］晶向. 关键词： 有机半导体材料 紫外光电子能谱 结构和电子结构     

银(110)表面苝有序薄膜电子态的研究

运用紫外光电子能谱(UPS)和低能电子衍射(LEED)技术,对银(110)表面上有机分子苝（perylene）的生长进行了研究.有机分子价带的4个特征峰分别位于费米能级以下3.5、4.8、6.4和8.5 eV处.当有机薄膜约为单分子层(厚度为0.3 nm)时, 苝在银(110)表面上形成C(6×2)的有序结构.角分辨紫外光电子能谱(ARUSP)的测量显示:在界面处的苝分子平面平行于衬底.苝在银(110)表面稳定性很高,随着对衬底加热，有机材料发生脱附,在140 ℃以下没有观察到分解现象.     

Fluorescein有机薄膜在Ag(110)面上的生长研究

利用紫外光电子能谱(UPS)对在Ag(110)表面上荧光素(fluorescein)的生长进行研究. 研究表明, 与fluorescein分子轨道有关的4个特征峰分别位于费米能级以下2.70, 3.80, 7.40和9.80 eV处. 角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)测量结果表明, fluorescein分子的三苯环平面平行衬底平面, 分子的C=O轨道轴向接近于[1-10]晶向.     

2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩/Ni(100)的界面能级结构随薄膜厚度的演化

利用紫外光电子能谱、X射线光电子能谱以及原子力显微镜系统研究了2,7-二辛基[1] 苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)生长在单晶Ni(100)上的能级结构随着薄膜厚度的演化以及薄膜的生长方式. 发现第一层C8-BTBT平躺生长且与Ni基底发生了化学吸附反应. 从第二层起分子直立生长且呈现岛状生长模式. 这种平躺至直立的分子取向转变, 导致薄膜的能级结构在第一层与第二层间发生阶梯式的变化, 真空能级与最高占据能级同步下降. 此后能带结构随着薄膜厚度的增加逐渐向下弯曲, 功函数随着膜厚的增加而减小. 同时还发现由于直立生长的C8-BTBT其层间电导率较差导致实验中的能级未能收敛. 实验结果提示对基于Ni和C8-BTBT的自旋器件需要插入缓冲层并尽可能减少C8-BTBT的层数.