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直拉硅单晶的生长过程涉及多场多相耦合与复杂的物理化学变化,其中工艺参数的波动是导致晶体直径不均匀的重要原因,如何实现工艺参数的控制以获得理想的、均匀的晶体直径具有重要的研究意义。本文分析现有控制方法存在不稳定以及控制效果不佳的问题后,提出基于贝叶斯参数优化的无模型自适应控制模型来控制硅单晶生长过程中的晶体直径。首先以坩埚上升速度与加热器的功率作为控制输入参数,晶体直径作为输出,搭建无模型自适应控制模型,并分析算法的稳定性。其次将控制模型进行仿真实验,发现硅单晶直径控制模型中不同的超参数设定会影响控制过程的迭代次数以及控制效果。最后,利用贝叶斯优化超参数的取值范围,并进行最终的仿真实验,结果表明,经贝叶斯参数优化后的控制模型计算快、迭代次数少,输出的晶体直径稳定,同时将生长工艺参数控制在实际生产要求范围内。因此,基于贝叶斯参数优化的无模型自适应控制实现了硅单晶直径均匀稳定的有效控制,具有结合工程背景的实际应用前景。 相似文献
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近几年来,全国各地的高考题及模拟题等,注重考察学生综合能力的即时定义题成了热点题型.这类题型的特点是,要求学生在短时间内通过阅读理解、学习迁移,对新的概念、定理、公式和法则等进行即时性的学习,并能独立的从不同角度运用它们作进一步的运算、推理、提炼、加工,进而解决有关的新问题.这是对考生学会学习、学会思考的能力的全方位考查,提升了对能力考查的力度、深度与广度.而其中的数列问题,可谓数列中的奇葩,现归纳赏析如下. 相似文献
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合成了掺F的Pb系超导体,确认了F替代其中CuO5四方锥体的顶氧。指出F代顶氧改善Tc的机理来自晶体结构,化学键及电子态的变化。改善零电阻温度Tcu主要是掺F体系所产生的热力学效应。 相似文献
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Hilbert空间中C0-半群族指数稳定性 总被引:1,自引:1,他引:0
主要讨论了Hilbert空间中Co-半群族Th(t)指数稳定问题,明了满足||Th(t)||≤Me^σt(M,σ与h无关)的半群族Th(t)指数稳定与弱L^p-稳定是等价的,并且给出了另外的三个判定Th(t)指数稳定的等价条件。 相似文献
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