TOPO修饰电极电位溶出法测定水中Sb(Ⅲ)

本文提出了TOPO化学修饰电极电位溶出分析法,研究了电极的修饰过程以及测定水中痕量锑的实验条件,探讨了修饰电极的作用机理,认为电极性能的改善主要是由电极表面上膜的络合吸附性所决定的。制作的修饰电极重复性好、灵敏度高。方法的变异系数为4.4％,Sb(Ⅲ)的检测下限为4×10~(-9)mol/L。     

化学修饰电极电位溶出法的研究 Ⅱ.聚乙烯吡啶化学修饰电极还原电位溶出法测定蔬菜、水果中维生素C

本文提出PVPCME还原电位溶出分析法,研究了工作电极的修饰和制备过程,电极重复性好,灵敏度高。讨论了测定蔬菜、水果中维生素C的实验条件。方法的变异系数为1.47％,回收率为88～91％。样品处理简单,损失小。