新型p-/n-掺杂型交替共聚物的合成及其光电性能的研究

本文通过Heck偶联法制备一种新型p-/n-掺杂型电致发光材料--3-十二烷氧基噻吩-共-1,3,4-噁二唑交替聚合物(P3DDOTV-OXD), 用核磁共振（1H NMR）及凝胶色谱（GPC）对结构进行了分析表征。用紫外光谱（Uv-vis）、荧光光谱法及电化学分析法对其光电学性能进行了研究。结果表明：聚合物的重均分子量为：5287,在氯仿溶液中,聚合物的紫外最大吸收波长为314nm,在401nm处发射出明亮的蓝光;较其均聚物（516nm）蓝移了115nm。 循环伏安测定结果表明: P3DDOTV-OXD在正、负向区域分别出现了一对氧化还原峰对,电子亲和能（Ia）为：2.88eV,有利于电子从阴极的注入。3-十二烷氧基噻吩-共-噁二唑交替共聚物实现了集空穴、电子双向传输为一体的高性能的聚合物光电功能材料的性能要求。     

基于3,4-二烷氧基噻吩的D-A-D型有机共轭分子的合成及其光学和电化学性能

基于Wittig反应合成了新型D-A-D型有机半导体材料——双(2-乙烯基-3,4-二烷氧基噻吩)-对-2,5-二苯基-1,3,4-噁二唑[(3,4DAOTV)2-OXD],用核磁共振氢谱(1HNMR)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、高效液相色谱(HPLC)和元素分析法(EA)对化合物的结构进行分析和表征.用紫外-可见(UV-Vis)光谱、荧光(PL)光谱及电化学分析研究其光学和电化学性能.在氯仿溶液中,各化合物的紫外最大吸收波长(λmabasx)在382-383nm之间,光学带能隙在2.92-2.97eV之间,荧光最大发射波长在448-452nm之间,发出明亮的青色光,荧光量子产率可达36.8%-37.6%;在固体薄膜状态下,各化合物于513-516nm处发射出亮蓝绿色光.循环伏安法研究显示:三种大π共轭分子在正、负向区域均表现出明显的氧化、还原现象.其中,5.65-5.70eV的电离势(Ip),与噻吩类有机半导体材料的空穴传输特征相符;电子亲和势(Ia)在2.74-2.88eV之间,与有机电子传输材料的特性相近,这利于电子从阴极的注入和传输.理论计算结果表明,该D-A-D型共轭分子共平面性好和电荷离域程度高,对光电功能材料的分子界面组装、载流子的有效传输和器件量子效率的提高十分有利.     

并绕铜带对高温超导绕组交流损耗影响实验研究

在许多超导电力设备的应用中,超导绕组的机械性能和电流过载能力是关乎设备运行安全性和可靠性的重要现实问题。利用铜线(或铜带)与高温超导带材平行绕制的方法是解决这一问题的可行方案之一。但这种方案有可能带来额外的交流损耗。为了研究这一问题,制作了两个尺寸相同的超导绕组,绕组内径70mm,外径90mm,高45mm,其中一个绕组由超导带与铜带并绕而成,另一个则由超导带材单独绕制而成。两个样品使用的超导带材均为一代Bi-2223/Ag高温超导带,宽4.6mm,厚0.22mm;铜加强带宽5mm,厚0.1mm。采用了卡路里法对比研究了两个样品的交流损耗。实验结果显示加入铜带没有明显增加超导绕组的交流损耗。因此,超导绕组中并绕铜带不失为一种有效提高超导绕组机械性能和过载能力的方法,在超导电力设备中有一定的应用价值。     

新型P-/n-掺杂型共轭低聚物的合成及其光学和电化学性能研究

通过Heck偶联法制备了一种新型P-/n-掺杂型电致发光材料--3-十二烷氧基噻吩一共-1,3,4-二唑共轭低聚物(P3DDOTV-OXD),用核磁共振氢谱(~1H NMR)及凝胶色谱(GPC)对其结构进行了分析表征.用紫外一可见光谱法(UV-Vis)、荧光光谱法及电化学分析法对其光学和电化学性能进行了研究.结果表明:P3DDOTV-OXD的蕈均分子量为:5287(四氢呋喃为流动相,聚苯乙烯为标准样品).在氯仿溶液中,P3DDOTV-OXD的紫外最大吸收波长为314 nm.在401 am处发射出明亮的蓝光;其最人发射波长较规整均聚物(HT P3DDOT)λ_(max)=516 nm)蓝移了115 nm.循环伏安测定结果表明:P3DDOTV-OXD在正、负向区域分别出现了氧化还原峰,电子亲和能(I_a)为2.88 eV,有利于电子从阴极的注入.3-十二烷氧基噻吩一共一嗯二唑共轭低聚物有望成为集空穴、电子双向传输为一体的新型光电功能材料.     

3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质

通过Heck偶联法合成了4种3-烷基噻吩交替共聚物:聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-二唑)(P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-二唑)(P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶)(P3HT-Py)和聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶)(P3OT-Py). 用NMR、GPC等测试技术对其结构进行了表征. 采用循环伏安法、紫外-可见吸收光谱法研究了系列共聚物光电性能. 结果表明,随噻吩环3位取代烷基碳链的增长,聚合物电离能(Ip)减小,带隙(Eg)也随之变窄. 其中,P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0.11 eV,P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0.19 eV,在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的二唑单元,可有效提高共聚物电子亲合能(Ea),对提高电子传输能力,改善电子与空穴注入平衡有积极作用.     

棘孢曲霉β-葡萄糖苷酶Ⅰ在毕赤酵母中的表达及烷基糖苷的催化合成

将来自棘孢曲霉(Aspergillus aculeatus NO. F-50)的β-葡萄糖苷酶Ⅰ在毕赤酵母中分泌表达. 初步研究表明, 目的蛋白得到较好表达, 以对硝基酚-β-D-葡萄糖苷(4-Nitrophenyl-β-D-glucopyranoside, pNPG)为底物, 重组β-葡萄糖苷酶Ⅰ酶促反应的最适温度为65 ℃, 最适pH为5.0, 50 ℃下反应发酵上清液中的酶活力可达33.8 U/mL, 蛋白表达量最高可达0.388 mg/mL. 该重组酶可通过逆水解或转糖苷反应催化合成烷基糖苷. 在有机-水双相反应体系中, 初步优化了pH 值、 含水量、 葡萄糖浓度及酶量等条件. 结果表明, 在优化的反应条件下, 丁基、 己基、 辛基和癸基葡萄糖苷最大产率分别为51.4%, 28.8%, 6.9%和3.0%.