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1.
氨基酸与溴酸钾混合液经紫外光照射后与鲁米诺反应产生较强的发光信号,且在一定条件下氨基酸浓度与发光强度成线性关系,据此建立了一种氨基酸测定方法。在优化的条件下,该方法对五种氨基酸的检出限在0.004μg/mL~0.06μg/mL范围内;分别对0.5μg/mL的五种氨基酸平行测定7次,其相对标准偏差在2·3%~4.2%范围内。初步考察了该方法与液相色谱联用测定氨基酸的可行性。  相似文献   
2.
"一锅煮"合成异黄酮   总被引:5,自引:0,他引:5  
汪秋安  陈贺  汤建国  范华芳 《合成化学》2006,14(1):86-87,105
以芳基酚和苯乙酸为原料,用三氟化硼乙醚作溶剂和催化剂,在C1试剂DMF/PC l5体系中,“一锅煮”合成7-羟基异黄酮及其类似物,产率在90%以上。其结构经1H NMR,IR和MS确证。  相似文献   
3.
多巴胺又名4-(2-乙氨基)-苯-1,2-二酚,具有官能团丰富,吸附位点多以及良好的生物相容性等众多优势,近年来,利用多巴胺研制纳米复合功能材料及环境应用是重要研究方向之一。本文从多巴胺结构特性以及自聚组装机理入手,介绍了将聚多巴胺涂布于不同基底材料进行改性,总结性能优异的多巴胺纳米复合材料的制备方法及在污水处理方面的应用进展及应用前景。  相似文献   
4.
依据VDMOS可靠性实验获得的性能指标退化数据,选择导通阻抗作为表征VDMOS性能退化的关键指标,用二阶最小二乘估计的方法拟合了VDMOS关键性能指标退化数据的回归曲线.以该性能指标的相对增量(初始值的20%)为阈值,给出了VDMOS的伪寿命估计.然后基于获得的伪寿命数据,在VDMOS寿命服从Weibull分布的假设下,研究并估计了该分布的形状参数与尺度参数.最后结合W统计量对该假设进行了检验,进一步说明了Weibull分布假设的合理性.  相似文献   
5.
电磁制动和电磁弹射是典型磁场条件下的摩擦学系统.相对湿度对其摩擦学性能和摩擦稳定性有重要影响.本文中研究了湿度对磁场下45钢自配副的摩擦磨损性能的影响,通过摩擦表面形貌演化分析了摩擦机理和磨损机制的转变,利用能量色散光谱仪(EDS)和X射线光电子能谱仪(XPS)表征了摩擦表面铁元素的氧化程度和氧化形式.结果表明:随着湿度增加,磁场下45钢自配副的摩擦系数单调增加,磨损率先增加后减少,30%RH为转变点;10%~70%RH范围内随湿度增加,摩擦表面的氧化程度升高,氧铁比变化率下降,表面Fe2+占比增大,OH-占比减小;70%RH时铁氧化物的水合物析出,氧的存在形式由OH-向FeOx·H2O转化.  相似文献   
6.
为了解决传统立体显示器成像不满足人眼正常成像规律的问题,同时考虑到穿戴设备兼具质量小、体积小的特点,在计算分析光学系统参数的基础上,结合数字微镜元件(DMD)和压电可变形反射镜(PDM),利用Zemax软件设计出了具有多焦平面投影功能的光学系统。该光学系统由7片透镜组成,总长为200mm,视场角为40°,采用双远心光路结构。对光学系统的整体分析结果表明,改变PDM的曲率半径,可实现多焦平面的成像。人眼根据自身的调节作用,在特定位置处可观察到由各个焦面位置处(屈光度范围为0~3m~(-1))的二维图像重叠所带来的整体三维效果。最后对系统的成像质量进行分析,结果表明该系统在极限分辨率为37lp/mm时,各视场处的调制传递函数(MTF)均高于0.4,性能良好,满足设计要求。  相似文献   
7.
报道了利用垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的增益谱与腔模的大失配设计实现VECSEL双波长同时激射的方法,设计了稳定的振荡腔结构,理论预测了这种VECSEL的三种工作状态并进行了实验验证。随着VECSEL泵浦功率增加,增益芯片内部工作温度逐步升高,VECSEL依次出现带边波长激射、双波长激射及腔模波长激射三种工作状态。最初VECSEL的激射波长位于带边模式决定的激光波长(952.7 nm),随着泵浦功率增加,增益芯片热效应增强,腔模波长与带边波长出现模式竞争,此后出现双波长激射现象。双波长峰值强度接近时VECSEL激光输出功率达到359 mW,激光波长分别位于954.2 nm和1001.2 nm,在该位置附近VECSEL的输出功率曲线呈现明显的二次阈值现象。当泵浦功率持续增加,激光输出波长变为腔模波长激射,激光波长位于1002.4 nm。在单波长及双波长工作状态下VECSEL的光斑形貌均为高斯形貌的圆形对称激光光束,激光光束发散角半角由5.7°增加到7.9°。这种单芯片双波长输出VECSEL方案未来在抗干扰激光雷达以及频率转换太赫兹激光等方面有着很好的应用潜力。  相似文献   
8.
基于密度泛函理论研究了单个钛原子分别位于本征石墨烯GR、点缺陷石墨烯(包括空位石墨烯DGR和氮掺杂石墨烯N-GR)薄片表面的吸附机理。通过计算钛原子在本征石墨烯表面不同位置时的吸附结构和吸附能,发现最稳定吸附位置是碳六元环的中心;计算了各个吸附体系的吸附能、态密度和差分电荷密度,研究表明三个吸附体系碳钛间均产生了电子轨道杂化,掺氮后的石墨烯对钛原子的吸附性能略微增强,而空位石墨烯对钛的吸附能是本征石墨烯的4倍,费米能级附近电子态局域化程度最大,吸附效果最好。  相似文献   
9.
基于密度泛函理论研究了单个钛原子分别位于本征石墨烯(GR)、点缺陷石墨烯(包括空位石墨烯(DGR)和氮掺杂石墨烯(N-GR))薄片表面的吸附机理.通过计算钛原子在本征石墨烯表面不同位置时的吸附结构和吸附能,发现最稳定吸附位置是碳六元环的中心;计算了各个吸附体系的吸附能、态密度和差分电荷密度,研究表明三个吸附体系碳钛间均产生了电子轨道杂化,掺氮后的石墨烯对钛原子的吸附性能略微增强,而空位石墨烯对钛的吸附能是本征石墨烯的4倍,费米能级附近电子态局域化程度最大,吸附效果最好.  相似文献   
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