Ce,Mn∶YAG单晶的生长及光学性能

采用提拉法生长了白光发光二极管(LED)用Ce,Mn∶YAG单晶,通过X射线衍射(XRD)测试、X射线吸收精细结构(XAFS)测试、吸收光谱和激发发射光谱对其晶相结构、掺杂Mn的价态和光谱特性进行了表征,并研究了晶片厚度及驱动电流的变化对LED器件光电性能的影响.在460 nm蓝光的激发下,Ce,Mn∶YAG单晶的发射光谱可由中心波长526和566 nm的宽带发射峰复合而成.XAFS测试结果表明,所得单晶中掺杂Mn的价态以正二价为主.由于Ce3+和Mn2+在YAG单晶中存在能量传递,荧光光谱中566 nm处的橙色发射峰对应于Mn2+离子4T1→6A1能级的辐射跃迁.     

In2S3量子点玻璃的制备及其三阶非线性光学性质

本文利用溶胶-凝胶法结合气氛控制合成了含In2S3量子点玻璃。利用X射线粉末衍射仪(XRD),X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),X射线能量色散谱(EDX),高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)对In2S3量子点在玻璃中的微结构进行了表征,同时,利用飞秒Z-scan技术详细地研究了该玻璃在800 nm处的三阶非线性光学性质。结果表明,尺寸分布在12～20 nm之间的In2S3四方晶系纳米晶已经在玻璃中形成,并且,该玻璃展示出了优异的三阶非线性光学性能,其三阶非线性光学折射率γ、吸收系数β和和极化率χ(3)分别为-2.04×10-18m2·W-1,8.26×10-12m·W-1,和1.61×10-20m2·V-2。     

奥氏体不锈钢中氮的溶解行为

本文测定不同温度、氮分压和化学组成时奥氏体不锈钢中氮的溶解行为,为含氮奥氏体不锈钢生产过程中的氮含量控制提供了理论依据.     

Cu7.2S4量子点玻璃的制备及三阶非线性光学性质

利用溶胶-凝胶法结合气氛控制合成了含Cu7.2S4量子点的玻璃. 通过热重-差热分析仪对干凝胶样品的热分解机制进行了分析, 并利用X射线粉末衍射仪、 X射线光电子能谱、 透射电子显微镜、 X射线能量色散谱)、 高分辨透射电子显微镜及选区电子衍射对 Cu7.2S4量子点在玻璃中的微结构进行了表征, 利用飞秒Z扫描技术研究了材料在800 nm的三阶非线性光学性质. 结果表明, 尺寸在9~21 nm之间的Cu7.2S4纳米晶已经在玻璃中形成, 该玻璃展示出了优异的三阶非线性光学性能, 其三阶非线性光学折射率(γ)、 三阶非线性吸收系数(β)和三阶非线性极化率[X(3)]分别为1.11×10-15 m2/W, 8.91×10-9 m/W和9.56×10-18 m2/V2.     

Ce,Sm共掺YAG单晶的生长及其光电性能的研究

采用提拉法生长了不同Sm3+掺杂浓度的Ce,Sm∶ YAG单晶.通过XRD、吸收光谱、荧光光谱对Ce,Sm∶ YAG单晶的晶相、光学特性进行了表征,利用LED快速光谱仪对所封装的LED光源的色坐标、光效、显色指数等特性进行了分析,结果表明采用提拉法生长的Ce,Sm∶ YAG单晶的主晶相为YAG晶相,且随着Sm3浓度的增加,YAG晶相结构并未发生改变;光谱中红光发光强度增加,白光LED显色指数提高;当实际浓度为0.31wt;,切片厚度为0.2 mm时Ce,Sm∶ YAG单晶样品体现了较好的光电性能,其光效为98.837 lm/W、显色指数71.1,可以满足商用白光LED的要求.     

L-半胱氨酸辅助CuGaS2微球的溶剂热合成与表征

以二水氯化铜(CuCl2H2O)和三氯化镓(GaCl3)为先驱体,生物分子L-半胱氨酸(C3H<,7>NO2S)为硫源和模板剂,通过溶剂热法合成了CuGaS2微球.所得样晶用XRD,FESEM,EDS,XPS,TEM,HRTEM和SAED进行表征.结果表明,在190℃反应24 h可得到结品良好、形貌规整的四方晶系CuGaS2微球,直径为2～4 μm.经计算,其品胞参数为α=0.5355 nm和c=1.0478 nm.根据实验结果,提出了 CuGaS2微球可能的生长机理.     

AOD前期含铬铁水去磷保铬的热力学分析

对AOD冶炼不锈钢的前期过程含铬铁水氧化脱磷进行了热力学分析,提出了在该过程实现去磷保铬的工艺措施,从而为三步法冶炼不锈钢全流程磷的控制提供了理论依据.     

白光LED用Ce∶YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析

采用提拉法生长Ce∶YAG单晶, 通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征, 研究了Ce∶YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度. 在455 nm蓝光激发下, Ce∶YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d¹²E_gГ_8g→4f ¹²F_7/2Г_8u)的宽发射带(500~650 nm)组成; 激发光谱由343 nm(4f ¹²F_5/2Г_7u→5d^{1 2}E_gГ_7g)和466 nm(4f ¹²F_5/2Г_7u→5d^{1 2}E_gГ_8g)2个激发峰组成; Stokes位移为2448 cm^-1, Huang-Rhys因子为6.12. 研究结果表明, Ce∶YAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系, 在650 nm红粉调节下Ce离子最佳掺杂浓度范围为0.034~0.066.     

白光LED用Ce:YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析

采用提拉法生长Ce∶YAG单晶,通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征,研究了Ce∶YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下,Ce∶YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12E gГ8g→4f12F7/2Г8u)的宽发射带(500~650 nm)组成;激发光谱由343 nm(4f12F5/2Г7u→5d1 2E gГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d1 2E gГ8g)2个激发峰组成;Stokes位移为2448 cm-1,Huang-Rhys因子为6.12.研究结果表明,Ce∶YAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系,在650 nm红粉调节下Ce离子最佳掺杂浓度范围为0.034~0.066.