| 白光LED用Ce:YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析 |
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| 引用本文： | 赵斌宇,梁晓娟,陈兆平,谢翠萍,骆乐,张志敏,钟家松,向卫东.白光LED用Ce:YAG单晶的光学性能与掺杂浓度分析[J].高等学校化学学报,2014,35(2):230-236. |
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| 作者姓名： | 赵斌宇 梁晓娟 陈兆平 谢翠萍 骆乐 张志敏 钟家松 向卫东 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学材料工程与科学学院, 上海 200092;
2. 温州大学化学与材料工程学院, 温州 325035 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：51172165）、浙江省自然科学基金重点项目（批准号：Z4110347）、浙江省重大科技专项重大工业项目（批准号：2012C01028-2）和湖州市自然科学基金（批准号：2011YZ02）资助. |
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| 摘 要： | 采用提拉法生长Ce∶YAG单晶,通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征,研究了Ce∶YAG单晶封装白光LED的最佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下,Ce∶YAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12E gГ8g→4f12F7/2Г8u)的宽发射带(500~650 nm)组成;激发光谱由343 nm(4f12F5/2Г7u→5d1 2E gГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d1 2E gГ8g)2个激发峰组成;Stokes位移为2448 cm-1,Huang-Rhys因子为6.12.研究结果表明,Ce∶YAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系,在650 nm红粉调节下Ce离子最佳掺杂浓度范围为0.034~0.066.
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| 关 键 词： | 白光LED 铈掺杂钇铝石榴石 光学性能 掺杂浓度 |
| 收稿时间： | 2013-05-30 |
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