FX NMR谱仪与IBM-PC/XT计算机的并行联机

本文介绍了一种FX-90Q NMR谱仪与IBM-PC/XT计算机并行联机的方法。IBM-PC/XT以模拟PerSci 227型8吋软盘驱动器的方式为FX-90Q工作,只需在FX-90Q上用光笔发出命令,便可以实现两机之间的NMR数据和操作程序的并行传送。联机后,不但可以用IBM-PC/XT替代原来的PerSci驱动器,还为建立FX NMR谱仪的卫星数据站提供了条件。     

主链为咔唑-吖啶给体/侧基为三联吡啶受体的热诱导延迟荧光共轭聚合物合成及发光性质

成膜性能优异的聚合物发光材料适宜于可溶液加工大尺寸显示及照明器件制作,赋予其热诱导延迟荧光(TADF)特征能够有效改善器件发光性能.本工作以苯环对位桥连三联吡啶的吖啶衍生物(ABTPy)为TADF单体、咔唑(Cz)衍生物为共聚单体,利用交叉偶联反应,控制TADF单体摩尔投料比为1%、5%、10%和50%,合成了4个主链为咔唑-吖啶给体/侧基为三联吡啶受体的共轭聚合物PCzABTPy1～PCzABTPy50.低含量TADF单元聚合物溶液的光致发光光谱显示了低聚咔唑片段和TADF单元的双峰发射,发光峰位是420和488 nm,聚合物薄膜仅出现单峰发射,发光峰由470 nm红移至508 nm.聚合物瞬态荧光衰减光谱均包含纳秒级瞬时荧光(12～15 ns)和微秒级延迟荧光(1.3～4.8μs),证实聚合物具有TADF特性.以聚合物为发光层的非掺杂溶液加工电致发光器件实现了蓝光发射,发光波长位于452～484 nm.其中,PCzABTPy10发光器件展示了最优的发光性能,最大外量子效率(EQE)为9.4%,启亮电压为3.0 eV.在亮度1000 cd/m²时,器件EQE仍保...     

对硫磷化学发光酶联免疫吸附分析方法的建立和评价

建立了基于多克隆抗体的对硫磷间接竞争化学发光酶联免疫吸附分析方法(icCLEIA)。以三氯硫磷为原料,经三步取代反应合成对硫磷半抗原,通过活泼酯法将半抗原分别与牛血清蛋白(BSA)和卵清蛋白(OVA)偶联,制备免疫抗原和包被抗原。经免疫新西兰大白兔,获得对硫磷抗血清。通过优化条件参数,建立了对硫磷的icCLEIA分析方法。本方法的检测线性范围为0.24～15.83!g/L;半抑制浓度IC50为1.14!g/L;检出限为0.09!g/L;对蔬菜样品和水样品的平均添加回收率为74.6%～121.0%。本方法可用于实际样品中痕量对硫磷残留检测。     

B-[9,9-双(4-甲基苯基)-9H-芴-2-基]硼酸的合成工艺优化

以2-溴-9-芴酮为原料,经亲核加成、取代、氧化还原、氧化反应合成B-[9,9-双(4-甲基苯基)-9H-芴-2-基]硼酸,其结构经¹H NMR确证。采用响应面法重点对氧化还原步骤进行优化。确定较优合成条件为：反应时间5.4 h,催化剂用量为0.4 eq.,反应温度为108 ℃,目标产物收率92.15%,相对误差0.54%。      

测控系统半实物仿真平台设计北大核心CSCD

介绍了某测控系统半实物仿真平台的设计方法。硬件平台采用通用计算机和PCI接口板卡组建,真实模拟测控接口的电气特性。系统按测控系统实际通信机理,包括基于共享内存通信、CAN通信等工作,模拟了相关分系统的控制接口功能。该平台成功应用于测控系统的集成调试/测试,为控制系统提供了很好的调试检验平台,达到了完善系统功能,提高系统研制质量的预期目的。     

2000年全国化学哲学与化学史联合年会在京召开

由中国自然辩证法研究会化学化工委员会、中国科学技术史学会化学史专业委员会举办的 2 0 0 0年全国化学哲学与化学史联合年会 2 0 0 0年 1 1月 1 5～ 1 8日在北京大学承泽园召开。来自全国 1 3个省、市、自治区的 50多名代表参加了这次会议 ,共提交论文 70余篇。中国自然辩证法研究会理事长龚育之、副理事长兼秘书长王国政到会讲话 ,并表示祝贺。全国化学哲学与化学史会议自 1 981年召开以来 ,极大地推动了化学哲学与化学史两个学科在中国的快速发展 ,2 0年来培养了大量人才 ,积累了一大批优秀成果。本次会议作为跨世纪年会表现出与以往不…     

面向高性能摩擦纳米发电机的电介质材料

摩擦纳米发电机(triboelectric nanogenerator, TENG)作为微纳电源或自取能传感器近年来在多领域表现出广阔的应用潜力. TENG的输出性能提升与作为摩擦起电层的电介质材料接触起电特性密切相关.本文首先介绍了TENG及其电介质摩擦起电层的相关基础理论和模型;其次,阐述了TENG电介质材料的选材、改性(表面改性、体改性)和结构设计策略,其中表面改性和体改性涉及表面粗糙度控制、官能团调控、电介质材料介电参数优化,在电介质的结构设计方面,重点介绍了电荷传输层、捕获层、阻挡层的原理及通过多层结构来提高TENG介电性能的典型方法;最后,强调了本领域发展面临的挑战和未来发展趋势,为面向高性能TENG的纳米电介质材料开发提供参考.     

BSA在不同形貌氧化锌材料上的吸附热力学

采用高分子模板法合成了4种不同形貌的ZnO,分别为球状颗粒(ZnO NPs)、针状(ZnO NRs)、片状(ZnO NSs)和棒状(ZnO NBs).利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对产物进行了表征.通过傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和圆二色光谱仪(CD)研究了小牛血清白蛋白(BSA)在不同形貌ZnO上的等温吸附规律、吸附热力学和吸附作用机理.结果表明,4种不同形貌的ZnO对BSA的吸附均较好地符合Langmuir等温吸附模型;吸附量随温度的升高略有增加;从热力学参数(ΔG,ΔH,ΔS)可知,吸附反应为自发进行的吸热反应,作用机理主要为氢键和静电作用.从热力学角度,针状的ZnO更有利于BSA的吸附.     

基于图像分析的摄像头轴偏量标定方法

针对摄像头在焦距调节过程中,视频图像的中心点在物体上滑移的问题,进行了理论建模分析,将传统的分段测量、曲线拟合的解决方法进行了改进,提出了一种基于图像分析的轴偏量的标定方法,利用矩形图像确定不同焦距下摄像头的轴偏量,并在实验验证中进行了优化处理。结果表明,本方法可以较为精确地标定出摄像头轴偏量,经过修正补偿后的摄像头,轴偏抖动可以控制在视场角的0.6%,可以满足较高精度闭环跟踪场合的要求。     

A novel partial silicon on insulator high voltage LDMOS with low-k dielectric buried layer

A novel partial silicon-on-insulator (PSOI) high voltage device with a low-k (relative permittivity) dielectric buried layer (LK PSOI) and its breakdown mechanism are presented and investigated by MEDICI.At a low k value the electric field strength in the dielectric buried layer (E I) is enhanced and a Si window makes the substrate share the vertical drop,resulting in a high vertical breakdown voltage;in the lateral direction,a high electric field peak is introduced at the Si window,which modulates the electric field distribution in the SOI layer;consequently,a high breakdown voltage (BV) is obtained.The values of EI and BV of LK PSOI with kI=2 on a 2 μm thick SOI layer over 1 μm thick buried layer are enhanced by 74% and 19%,respectively,compared with those of the conventional PSOI.Furthermore,the Si window also alleviates the self-heating effect.