溶胶-凝胶制备技术与新型催化材料Ⅲ.溶胶粒子表面修饰方法制备催化膜

提出用溶胶粒子表面修饰方法，结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜．该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用，经溶胶凝胶过程，将活性组分结合到无机膜中．实验测定结果表明：（ＮｉＥＤＴＡ）２－，ＶＯ－３，ＭｏＯ２－４，（Ｐｄ（ＮＨ３）４）２＋，ＰｄＣｌ２－４，ＰｔＣｌ２－６和ＲｈＣｌ３－６可用来修饰ＡｌＯＯＨ溶胶．以Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜的制备为例，经三次溶胶凝胶过程，可制得无裂缺的厚度为９μｍ的Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜，膜材料的平均孔直径为６ｎｍ，Ｐｄ被均匀地分布在膜的顶层，其平均粒径为２３ｎｍ．     

锐钛矿(TiO2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算

基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算,在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧空位存在,分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算,之后对电导率进行类比,发现锐钛矿半导体的导电性能对适量浓度低的氧空位有利可行得到了证明.同时,低温重氧空位的条件下,锐钛矿半导体的电导率不仅与氧空位浓度有关,而且和进入导带的平均电子数有关,和氧空位散射的电子迁移率有关的正确结论. 关键词： 锐钛矿半导体 氧空位浓度 电导率 第一性原理计算     

介孔C/SiO2粉体的制备及对阳离子型染料的吸附

采用吸附法处理染料废水需要合适的吸附剂。利用溶剂蒸发自组装法,以甲阶酚醛树脂为碳源、介孔SiO2粉体为载体制备介孔C/SiO2粉体,表征所制C/SiO2粉体的结构,研究C/SiO2粉体对阳离子型染料亚甲基蓝和阳离子红X-GRL的吸附性能,并与相同条件下制备的非负载的多孔C粉体以及介孔SiO2载体进行比较。结果表明,介孔C/SiO2粉体的孔窗口为11~18 nm,比表面积为303 m2.g-1,比孔容为1.11 cm3.g-1;C/SiO2粉体对这两种染料吸附量均高于C粉体和SiO2载体;在pH≤10的范围内,吸附量随pH值增大而显著提高。     

原位生长高度定向ZnO晶须

采用大气压金属有机化合物化学气相沉积(AP-MOCVD)方法，以Zn(C₅H₇O₂)₂为原料，在玻璃基片上制备出高度定向的ZnO晶须.扫描电子显微镜观察发现晶须垂直基片取向生长，规则排列，长度、形状几乎一致.晶须直径为100nm—800nm,长径比为8—15，尖端曲率半径仅为50nm，甚至更小.x射线衍射(XRD)分析结果表明ZnO晶须为六方晶系纤锌矿结构，并沿c轴高度取向.采用热分析对反应前驱物进行了研究,同时也讨论 关键词： ZnO 取向生长 晶须 MOCVD     

用聚合溶胶-凝胶法制备适用于纳米陶瓷膜的SiO2聚合溶胶

用聚合溶胶－凝胶法制备适用于纳米陶瓷膜的ＳｉＯ２聚合溶胶鲍筠赵宏宾盛世善谷景华陈恒荣熊国兴ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮＯＦＳｉＯ２ＰＯＬＹＭＥＲＩＣＳＯＬＳＦＯＲＮＡＮＯＰＯＲＯＵＳＣＥＲＡＭＩＣＭＥＭＢＲＡＮＥＳＢＹＰＯＬＹＭＥＲＩＣＳＯＬ┐ＧＥＬＭＥＴ...     

γ-Al_2O_3复合膜的制备及顶膜完整性检验

用工业产品PURSAL SB粉代替醇盐制备γ-AlOOH溶胶,准弹性光散射实验表明,溶胶粒径分布集中在35nm左右,由该溶胶而得到的γ-Al_2O_3非担载膜的孔径分布很窄,平均孔径为4.8nm,比表面积为320m~2/g.用该方法制备的γ-AlOOH溶胶经两次浸涂、干燥、焙烧循环,能在多孔α-Al_2O_3底膜上形成完整的γ-Al_2O_3顶膜,用SEM电子显微镜没有观察到有裂缝或针孔的形成,气体渗透实验结果也证实了γ-Al_2O_3的顶膜是完整的。     

溶胶-凝胶制备技术与新型催化材料Ⅲ.溶胶粒子表面修饰方法制备催化膜

提出用溶胶粒子表面修饰方法，结合溶胶－凝胶技术制备无机催化膜，该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面吸附作用，经溶胶－凝胶过程，将活性组分结合到无机膜中，实验测定结果表明：（ＮｉＥＤＴＡ）＾２－，ＶＯ＾－３，ＭｏＯ＾２－４，（Ｐｄ（ＮＨ３）４＾２＋，ＰｄＣｌ＾２－４，ＰｔＣｌ＾２－６和ＲｈＣｌ＾３－６可用来修饰ＡｌＯＯＨ溶胶，以Ｐｄ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜的制备为例，经三次溶胶－凝胶过程，     

溶剂热法制备Al掺杂ZnO薄膜的机理研究

采用溶剂热法在玻璃衬底上制备Al掺杂的ZnO薄膜,研究了溶剂热过程中升温、恒温和降温三个阶段分别对薄膜物相和形貌的影响,探讨了薄膜的生长机理.结果表明,升温阶段只是形核过程,基片仅在升温阶段与前驱液接触不能形成薄膜;基片在升温-恒温阶段与前驱液接触可制备(002)择优取向的薄膜;恒温阶段既有成核过程又有晶体生长过程,基片仅在恒温阶段与前驱液接触可以制备薄膜;降温阶段薄膜继续生长.