PATH INTEGRAL IN CORRELATED EIGENSTATE BASIS OF COMPLEX SCALAR FIELDS φ(x) AND φ?(x)

Using the technique of integration within an ordered product of operators, we construct a new common eigenvector set of the complex scalar fields φ(x) and φ^?(x), which is a set of particle-antiparticle correlated states. On the basis of the new eigenstates we develop the path integral formuation. The new eigenvectors' properties are investigated, they are qualified to be a new representation.     

电沉积烧结ZrO_2－8 wt％Y_2O_3薄膜及其对AISI 304不锈钢高

在水溶液中于ＡＩＳＩ３０４不锈钢表面电沉积ｚｒ（ＯＨ）＿４－Ｙ（ＯＨ）＿３薄膜，然后在３０Ｄ～５００℃烧结形成ＺｒＯ＿２－８ｗｔ％Ｙ＿２Ｏ＿３薄膜，讨论了相应的机理。研究结果表明，表面沉积ＺｒＯ－８ｗｔ％Ｙ＿２Ｏ＿３薄膜的试样与空白试样相比，氧化增重下降约３倍，表面沉积ＺｒＯ＿２－８ｗｔ％Ｙ＿２Ｏ＿３薄膜的有益作用在于改善了氧化膜与不锈钢基体的附着力和促进铬的选择性氧化。     

(Ce0.8Sm0.2O2-δ/Y2O3:ZrO2)N超晶格电解质薄膜的制备及表征

采用脉冲激光沉积技术(PLD), 在MgO单晶基底上, 依次沉积氧化钐掺杂的氧化铈(Ce_0.8Sm_0.2O_2-δ, SDC)和钇稳定氧化锆(8 mol%Y₂O₃:ZrO₂, YSZ)制备了五种(SDC/YSZ)_N (N=3, 5, 10, 20, 30) 超晶格电解质薄膜. 利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征. 结果显示, (SDC/YSZ)_N超晶格电解质薄膜之间形成了明显的界面和较好的超晶格结构; 薄膜表面颗粒生长均匀、致密、平滑, 在薄膜的界面处没有元素相互扩散也未出现裂纹, 外延生长良好; 电导率随着(SDC/YSZ)_N超晶格电解质界面数的增加而增加, 而活化能则随之减少, 是较为理想的低温固体氧化物燃料电池电解质.     

相干态和若干δ函数算符公式

用纯相干态密度矩阵导出有关δ－函数算符形式的若干公式，并给出其在算符正规排序及构造产生算符本征态中的应用可能性。     

SDC/YSZ双层电解质薄膜的制备与特性

利用脉冲激光沉积技术(PLD)在MgO单晶片基底上制备Ce0.8Sm0.2O2-δ/ZrO2∶Y2O3 (SDC/YSZ)双层电解质薄膜.X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)的结果显示SDC/YSZ双层电解质薄膜沿(111)方向择优生长,随着退火温度的升高,薄膜变得均匀致密,结晶度得到改善,(111)衍射峰强度变大,择优生长取向明显;电化学测量表明,SDC/YSZ双层电解质薄膜的离子电导率比单层YSZ薄膜的离子电导率高.     

低温超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜的制备及表征

采用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3 (ALO)衬底上,将Y2O3∶ZrO2(YSZ)和SrTiO3 (STO)按照YSZ/STO/YSZ的顺序依次沉积,形成超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜,利用SEM、XRD和交流阻抗对其形貌、相结构和电学性能进行了表征.结果表明,衬底温度为700℃形成的超晶格YSZ/STO/YSZ电解质薄膜颗粒大且均匀,排列紧密且呈规律圆柱状;YSZ、STO均沿(111)方向择优生长;低温时电导率比单层YSZ电解质薄膜高出4个数量级,是较为理想的低温固体燃料电池电解质.     

PATH INTEGRAL IN CORRELATED EIGENSTATE BASIS OF COMPLEX SCALAR FIELDS φ(x) AND φ?(x)

Using the technique of integration within an ordered product of operators, we construct a new common eigenvector set of the complex scalar fields φ(x) and φ^?(x), which is a set of particle-antiparticle correlated states. On the basis of the new eigenstates we develop the path integral formuation. The new eigenvectors' properties are investigated, they are qualified to be a new representation.