连呼汉语识别研究

本文介绍一种连呼汉语识别方法,方案中,提出一种自适应幅度规正(AAN)算法处理输入语音特征频谱,并引入声刺激量参数对其作时域非线性压缩规正。以单呼样本作参考样本。构造出一种快速动态时间弯折(FDTW)匹配过程。最后,设计出一种基于FDTW算法的二分叉树搜索决策方案进行连呼汉语识别。对十个汉语数字组成的2—5字随机序列按两种发音方式的实验给出的平均字串及字音识别率分别为:按汉语普通话发音96.8％及98.8%;按电报呼号发音97.6％及99.0%。     

带电体低速运动时电磁场的能量和动量

依据电磁场的相对论变换,计算了均匀带电球面、运动方向垂直于环面的通电螺绕环、运动方向平行于轴向的充电圆柱形电容器、运动方向垂直于板面的平行板电容器等4种带电体低速运动（v 虫 c）时电磁场的能量和动量。     

光学双稳态半导体激光器的理论分析

引入了正切函数作为非线性光－电流关系函数，借地速率方程，建立了光学双稳半导体激光器的理论模型。对器件本身进行了理论分析，讨论了器件的主要特性，给出了数值分析结果，提出了器件性能改进方法。     

新型3-萘基-1,3-噻唑烷-4-酮衍生物的微波促进合成及其抗菌活性研究

利用微波促进的多组分一锅法, 在封管条件下, 以萘胺、芳醛和巯基乙酸为原料, 4-二甲氨基吡啶(DMAP)/N,N’-二环已基碳二亚胺(DCC)为催化剂, 合成了系列新的噻唑烷酮衍生物, 该反应具有时间短、操作简便等优点. 目标化合物通过IR, NMR, MS和元素分析等方法确定结构. 初步测试了化合物对丁香假单胞杆菌黄瓜角斑病菌致病变种、番茄灰霉病菌和黄瓜白粉病菌抑制活性, 结果表明: 部分化合物对黄瓜白粉病菌有显著抑制作用, 但对前两种植物病菌抑制效果不明显.     

一种FlexRay总线通讯测试系统设计

FlexRay总线作为一种高速、灵活、可靠的串行通信总线,已逐渐成为汽车网络的主流。为了验证该总线技术在航天技术应用上的可行性,设计了一个基于TMS570LS3137安全控制器和PXI8517集成测试板卡的FlexRay总线网络测试系统。从硬件设计、平台搭建、协议规范、节点设计、网络定义等方面介绍了测试系统的设计方案,实现了网络中各个节点之间的同步和数据收发,最终实现了FlexRay网络之间的通信。试验结果表明了FlexRay网络通信系统的可行性和可靠性,并以其高速和强冗余特点成功应用于国家863项目机电作动系统研制项目中。     

渐变折射率光纤标量近似的微扰修正方法

在弱波导近似下,计及了折射率梯度的影响,把▽ε看作微扰项,应用微扰理论,给出了修正到任一级近似的标量场方程,建立了一级修正解的一般表达式,并给出了相关参量的确定方法。最后,以抛物线折射率剖面单模光纤为例,给出了简要分析结果。     

金刚石中氦、氢含量的变化及在金刚石生长中的意义

天然金刚石自中心至边缘的显微傅里叶变换红外光谱研究表明:氮和氢在金刚石中的分布是不均匀的,这说明金刚石在整个生长过程中的物质环境是有差异的;中心至边缘的含氮总量、C-H键含量的总体降低趋势表明金刚石的生长过程是一个氮、氢的消耗过程,而中部的升高变化说明金刚石生长环境中存在氮、氢的补充,但氮补充得比氢更早一些.据此,可以将金刚石的生长过程划分为早期成核与长大、中期长大及末期长大三个阶段,其中早期和末期是氮和氢的消耗阶段,中期需要进行氮和氢的补充,且氮应该更早补充.氢对金刚石的生长是有利的,氢和氮不是以氮氢化合物的形式存在于金刚石生长的物质环境中,这暗示着在高温高压合成金刚石中欲引入氢,应当避免氮氢化合物的形成.     

济南地区表层土壤及沉积物中饱和烃分布特征及源解析

研究了济南地区不同功能区的表层土壤及沉积物中饱和烃的组成和分布特征,在此基础上初步分析了其来源.结果表明,饱和烃主要有正构烷烃、类异戊二烯、环烷烃等组成,正构烷烃碳数分布范围为n-C10-n-C34,类异戊二烯类主要是姥姣烷、植烷及甲基C13-C17烷等,同时还检出烷基环己烷,甾烷、三萜烷及藿烷等环烷烃.饱和烃总体含量分布为北高南低,北部化工区、高速入口处等饱和烃主要来源于原油或成品油等化石燃料及其燃烧产物;南部山区、水库沉积物及农田土壤等饱和烃主要来源于化石燃料的燃烧及高等植物.     

碳纳米管的共价修饰

碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)的溶解性和分散性较差是目前制约其广泛应用及在一些有特殊要求的领域(如生物技术)应用的主要原因之一. 对CNTs进行共价修饰是改善其溶解性和分散性的有效方法之一. 目前CNTs的共价修饰主要通过两类反应来实现: 羧基的衍生反应和直接加成反应. 介绍了基于这两种反应的几种共价修饰方法, 比较了各种修饰方法的优缺点及其对CNTs的溶解性和分散性的改善效果.     

Demonstration of a 4H SiC Betavoltaic Nuclear Battery Based on Schottky Barrier Diode

A 4H SiC betavoltaic nuclear battery is demonstrated. A Schottky barrier diode is utilized for carrier separation. Under illumination of Ni-63 source with an apparent activity of 4mCi/cm^2, an open circuit voltage of 0.49 V and a short circuit current density of 29.44nA/cm^2 are measured. A power conversion efficiency of 1.2% is obtained. The performance of the device is limited by low shunt resistance, backscattering and attenuation of electron energy in air and Schottky electrode. It is expected to be significantly improved by optimizing the design and processing technology of the device.