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利用还原偶联方法合成出新化合物四 (4,4′ ,4″ ,4 N ,N 二乙氨基 )四苯乙烯 (TDETE) .通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态 -瞬态荧光光谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等 ,讨论了分子的构象效应等因素对TDETE光致发光行为的影响 .在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带 ,分别为全扭曲构象分子 (位于 3 4 5nm附近的发光I带 )、半扭曲构象分子 (位于 43 0nm附近的发光II带 )和激基缔合物 (53 0nm发光III带 )的辐射衰变所致 .在聚合物(PMMA)中 ,一方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制 ,表现为II带的辐射衰变速率常数 (kf 值 )增大、同时非辐射衰变速率常数 (knf值 )减小 ;另一方面 ,TDETE分子之间相互作用得到加强而有利于缔合物形成 ,结果 ,使发光II带和III带合二为一出现了强而宽的发射峰 ,荧光量子产率从溶液中的 0 0 55提高到 0 855.此外 ,在PMMA介质中观测到TDETE分子聚集体在 62 6nm处的发光带 (IV) ,粉末态中聚集体IV带的强度骤增 ,峰值波长红移至 650nm 相似文献
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利用还原偶联方法合成出新化合物四(4,4′,4",4′″-N,N-二乙氨基)四苯乙烯(TDEFE).通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态-瞬态荧光光谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等,讨论了分子的构象效应等因素对TDETE光致发光行为的影响.在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带,分别为全扭曲构象分子(位于345 nm附近的发光Ⅰ带)、半扭曲构象分子(位于430 nm附近的发光Ⅱ带)和激基缔合物(530 nm发光Ⅲ带)的辐射衰变所致.在聚合物(PMMA)中,一方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制,表现为Ⅱ带的辐射衰变速率常数(kf值)增大、同时非辐射衰变速率常数(knf值)减小;另一方面,TDETE分子之间相互作用得到加强而有利于缔合物形成,结果,使发光Ⅱ带和Ⅲ带合二为一出现了强而宽的发射峰,荧光量子产率从溶液中的0.055提高到0.855.此外,在PMMA介质中观测到TDETE分子聚集体在626 nm处的发光带(Ⅳ),粉末态中聚集体Ⅳ带的强度骤增,峰值波长红移至650 nm. 相似文献
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利用还原偶联方法合成出新化合物四(4,4',4',4''-N,N-二氨基)四苯乙烯（ TDETE）。通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态-瞬态荧光光 谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等。讨论了分子的构象效应等因素对TDETE 光致发光行为的影响。在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带，分别为全扭曲 构象分子（位于345nm附近的发光I带）、半扭曲构象分子（位于430nm附近的发光 II带）和激基缔合物（530发光III带）的辐射衰变所致。在聚合物（PMMA）中，一 方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制，表现为II带的辐射衰变速率常数(kf 值)增大、同时非辐射衰变速率常数knf值减小；另一方面，TDETE分子之间相互作 用得到加强而有利一缔合物形成，结果，使发光II带和III带合二为一出现强而宽 的发射峰，荧光量子产率从溶液中的0.055提高到0.855。此外，在PMM介制裁中观 测到TDETE分子聚集体在626nm处的发光带（IV），数粉末态中聚集体IV带的强度骤 增，峰值波长红移至650nm。 相似文献
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利用还原偶联方法合成出新化合物四(4,4',4',4'-N,N-二氨基)四苯乙烯（ TDETE）。通过测定该化合物在溶液、掺杂聚合物中及晶体粉末的稳态-瞬态荧光光 谱、荧光量子产率和辐射衰变速率常数等。讨论了分子的构象效应等因素对TDETE 光致发光行为的影响。在一定浓度下TDETE溶液存在着三个发光带,分别为全扭曲 构象分子（位于345nm附近的发光I带）、半扭曲构象分子（位于430nm附近的发光 II带）和激基缔合物（530发光III带）的辐射衰变所致。在聚合物（PMMA）中,一 方面由于分子单键的自由旋转扭曲受到遏制,表现为II带的辐射衰变速率常数(kf 值)增大、同时非辐射衰变速率常数knf值减小;另一方面,TDETE分子之间相互作 用得到加强而有利一缔合物形成,结果,使发光II带和III带合二为一出现强而宽 的发射峰,荧光量子产率从溶液中的0.055提高到0.855。此外,在PMM介制裁中观 测到TDETE分子聚集体在626nm处的发光带（IV）,数粉末态中聚集体IV带的强度骤 增,峰值波长红移至650nm。 相似文献
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