排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 250 毫秒
1
1.
ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性 总被引:2,自引:1,他引:1
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测。椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高。我们对折射率的这种变化机理进行了解释。DLTS测量得到一个与Zni**相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级。在氮气退火情况下Zn*i*的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利。 相似文献
2.
3.
Luminescence with Local Distribution and Its Possible Mechanism in Zinc Oxide Micro-Crystallites 下载免费PDF全文
The spatial luminescence distribution hi the ZnO micro-crystallite fihns deposited on silicon substrates by CVD at room tempezature is investigated by the cathedolumineseence (CL) image. It has been observed that the CL image of the samples constitutes a certain pattern. The UV emission pattern projective to the (0001) face of ZnO grains consists of a series of lines nearby the grain boundaries . The included angles between any two adjacent lines are almost 120°. What is more, some luminescent lines form a close hexagon similar to ZnO crystalline structure. Such a local distribution propety shows that the UV emission on as-grown ZnO crystallite should be due to some local defects congregated to {1010} facets of ZnO grain rather than free exciton recombination. 相似文献
4.
本文讨论了单分子膜内J-聚体的性质、稳定性以及影响J-聚体形成的因素。实验中发现,制备有序单分子膜时,机械振动是影响J-聚体形成的重要因素;利用分子的电性质,靠外加电场的作用,可以增加J-聚体的成份。载于玻璃载片上单分子膜中的J-聚体在室温下就可以破坏,在低温下能够得以保存。根据J-聚体的能级性质及其在能量转移中的作用,作者认为,J-聚体可以形成激子态,J-聚体内的能量转移是激子转移。 相似文献
5.
6.
7.
CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌 总被引:2,自引:1,他引:1
利用具有特定温度梯度的CVD设备,以锌粉和氧气为原料,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。研究发现,锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向。用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌,发现Zn和氯化物的量比为1∶1时,生长的ZnO薄膜表面晶粒呈菱形或三角形({101}面),当二者的量比为10∶1时薄膜表面晶粒呈六棱台形({001}面)。XRD分析结果证实,前者只观察到(101)和(202)衍射峰,而后者出现(002)衍射峰且其强度大于(101)衍射峰。改变衬底或温度后得到的结果相同。因此,作者认为氯化物改变薄膜生长取向的现象与衬底和生长温度无关,添加的氯化物起到降低ZnO{101}面表面能的作用,随着氯化物浓度的增加,薄膜从沿[001]方向生长逐渐转向沿[101]方向生长。 相似文献
8.
The ultraviolet emission line at 3.315eV is observed at 8K in ZnO polycrystalline films and investigated by temperature-dependent photolumineseence spectra and cathodoluminescence spatial image. The relative intensity of 3.315 eV emission line depends strongly on growth and annealing conditions. The cathodoluminescence image shows that the 3.315 eV emission localizes on the surface and ridge of ZnO grain. These results suggest that the 3.315 eV emission attributes to Zn interstitials at the grain surface and ridge. This emission is stable in the range from 8 K to 300 K and contributes to the room temperature ultraviolet band. 相似文献
9.
自从1934年,Robinowitch观察到了叶绿索的发光性质,Stern等人对卟啉类的电子光谱作了系统研究之后,卟啉类的发光越来越受到人们的重视。如所周知,自然界中广泛存在的叶绿素、人体内的氯化血红素、维生素B12等都具有卟啉的基本骨架结构。鉴于卟啉类化合物在生物化学、药物(特别是抗癌药物)、表面活性剂、催化剂和发光材料等方面的应用价值,近年来该领域的研究仍十分活跃。本工作的目的是测定meso—四苯基卟啉(TPP)、meso—四—(4-N)吡啶基卟啉(TPyP)以其Cu(Ⅱ),Zn(Ⅱ)络合物,在氯仿溶液中的吸收光谱、荧光光踏。也测定了叶绿素-a(Chl-a)、脱镁叶绿素-a(Phn-a)、Cu(Ⅱ)与Zn(Ⅱ)置换的脱镁叶绿素-a(Cu-Phn-a与Zn-Phn-a)在丙酮溶液中的吸收光谱、荧光光谱。同时,测定了这些卟啉类化合物的固体试样的光电压谱。企图通过这种比较研究,寻找光电压谱和吸收光谱、荧光光谱之间的关系,分析过渡金属离子与卟啉环上π电子之间的强相互作用对电子能级的影响。 相似文献
10.
1