关于酸碱浓度与缓冲溶液PH值关系的新探讨

关于酸碱浓度与缓冲溶液ｐＨ值关系的新探讨汪乃兴，王彦刚（复旦大学化学系，上海２００４３３）缓冲溶液作为各种反应和过程的载体或介质，具有稳定溶液反应环境的作用，可以说这是缓冲溶液最大的作用。但我们所说的稳定溶液环境，并不是说溶液环境绝对不变，而是说溶液...     

植物生物分子的电分析化学研究：XV.针刺对植物本中活性组分的影响

利用差示脉冲极谱法研究了针刺对黄杨、石竹花等植物体中抗坏血酸的影响，以测定植物体叶片中干物质含量的方法研究了针刺对绣球花、夹竹桃和杜鹃等的影响，另外还进行了电针针刺的研究。     

沙尘天气下大气能见度对激光光强的影响

基于米氏理论,分别研究了不同波长的激光信号在沙尘天气中发生单次散射和多次散射时光强与能见度间的变化关系.推导出发生单次散射时光强与能见度间的解析表达式,同时采用蒙特卡洛方法分析了发生多次散射时光强与能见度间的关系,并与单次散射时的结果进行对比.结果表明:在激光信号波长固定时,接收光强会随着沙尘能见度的增大而增加,并趋于稳定值;在能见度固定时,接收光强会随着激光信号波长的增大而减小;随着传输距离的增加,多次散射的影响会越来越明显.     

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（n-MOSFET）软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压V_g范围内，软击穿后的栅电流I_g符合Fowl er-Nordheim隧穿公式，但室温下隧穿势垒_b的平均值仅为0936eV，远小于S i/Si O₂界面的势垒高度315eV.研究表明，软击穿后，处于Si/SiO₂界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带，而是隧穿到氧化层内的缺陷带上._b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关；高温下，激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致_b逐 渐降低. 关键词： 软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层     

The conduction mechanism of stress induced leakage current through ultra-thin gate oxide under constant voltage stresses

The conduction mechanism of stress induced leakage current （SILC） through 2nm gate oxide is studied over a gate voltage range between 1.7V and stress voltage under constant voltage stress （CVS）. The simulation results show that the SILC is formed by trap-assisted tunnelling （TAT） process which is dominated by oxide traps induced by high field stresses. Their energy levels obtained by this work are approximately 1.9eV from the oxide conduction band, and the traps are believed to be the oxygen-related donor-like defects induced by high field stresses. The dependence of the trap density on stress time and oxide electric field is also investigated.     

植物生物分子的电分析化学研究——XV.针刺对植物体中活性组分的影响

利用差示脉冲极谱法研究了针刺对黄杨、石竹花等植物体中抗坏血酸的影响,以测定植物体叶片中干物质含量的方法研究了针刺对绣球花、夹竹桃和杜鹃等的影响,另外还进行了电针针刺的研究.     

一类非线性系统的自适应反步控制

研究一类带有未知常数参量的非线性系统的镇定及自适应控制器设计问题,提出了一类非线性系统参数估计器设计及自适应反步控制器设计的新方法.构造出Lyapunov函数, 并给出闭环系统全局渐近稳定的新的充分条件.例子表明了所获方法的有效性.     

Low voltage substrate current： a monitor for interface states generation in ultra-thin oxide n-MOSFETs under constant voltage stresses

The low voltage substrate current （Ib） has been studied based on generation kinetics and used as a monitor of interface states （Nit） generation for ultra-thin oxide n-MOSFETs under constant voltage stress. It is found that the low voltage Ib is formed by electrons tunnelling through interface states, and the variations of Ib（△Ib） are proportional to variations of Nit （△Nit）. The Nit energy distributions were determined by differentiating Nit（Vg）. The results have been compared with that measured by using gate diode technique.[第一段]     

两次双波长分光光度法同时测定钼和钨的研究

本文把等吸收双波长法和双峰双波长法结合起来。建立了一种新型高灵敏度的同时测定铝、钨的两次双波长光度法。测定Mo、W的摩尔吸光系数分别为1.9×10~5和1.7×10~5L·mol~(-1).cm~(-1),测定范围1.5～8.0μg/25ml和4.0～15μg/25ml,相互允许量Mo:W=2:1～1:10,该法用于合成水样及标准钢样中的Mo和W的同时测定,结果满意。