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紫外光解法在制备低介电常数氧化硅分子筛薄膜中的应用 总被引：1，自引：0，他引：1
以正硅酸乙酯为硅源, 四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂和碱源, 采取水热晶化技术, 通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜; 采用紫外光解法代替传统高温焙烧法脱除分子筛薄膜孔道内的模板剂, 制备出具有低介电常数的氧化硅分子筛薄膜. 使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征, 并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数, 纳米硬度计测量薄膜的杨氏模量和硬度. 与传统的高温焙烧方法相比, 紫外光解法处理条件温和, 同时省时、省能、操作简易. 相似文献
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研究了以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MeSi(OEt)3)为混合硅源，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂，采取旋涂技术，在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜，再经过正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道内的模板剂，制备出具有超低介电性能的氧化硅薄膜。使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征，并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数(k)，纳米硬度计测量薄膜的弹性模量。介孔氧化硅薄膜在常温常湿条件下存放15 d后，介电常数 相似文献
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