Skyrme势与A=18核的低能谱计算

本文在Kuo, Lee和Latcliff的有效势折线图展开理论框架的基础上, 尝试采用Skyrme势计算了¹⁸O及¹⁸F的低能级. 计算结果表明, 无论是采用Vautherin和Brink提供的Skyrme势参数还是采用Krewald等改进的Skyrme势参数, 用于开壳核的计算结果都不好.     

基于多时间尺度分析的青藏铁路沿线土壤热流研究

根据青藏铁路沿线ANDUO（安多）、TTH（沱沱河）、NODA（那曲）站的土壤温度资料，应用积分求解土壤热流的方法，计算得到了1997年9月至1998年8月3个站点3个不同深度的土壤热流.基于多时间尺度分析方法，对土壤热流时间序列资料进行了研究，得出在不同时间尺度上土壤热流随时空变化的一些重要特征. 关键词： 多时间尺度分析 青藏高原 土壤热流     

基于多Agent的心理战效果评估方法研究

心理作战系统是典型的复杂适应系统。以复杂适应系统理论为指导,运用多Agent建模仿真方法,建立了心理战效果评估模型,开发了心理战智能体仿真平台PSYOPASP,对5种心理战防御方案进行仿真实验。     

空间辐射效应的蒙特-卡罗模拟

 概述了天然宇宙空间的辐射环境,简要地分析了辐射效应机制,在辐射效应的蒙特-卡罗模拟中对靶材料作了无定形假设,入射粒子在靶材料中的弹性能量损失采用经典二体散射公式,非弹性能量损失高能时采用Beth-Bloch公式,低能时采用Lindhard-Scharff公式,中能时采用插值公式,撞出晶格原子引起的次级损伤用Kinchin-Pease模型计算,最后对100KeV硼离子入射于硅材料引起的辐射效应进行了模拟计算,并给出了计算结果和分析。     

单晶硅上化学气相沉积铜薄膜的机理研究

A versatile metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system was designed and constructed. Copper films were deposited on silicon (100) substrates by chemical vapor deposition (CVD) using Cu(hfac)2 as a precursor. The growth of Cu nucleus on silicon substrates by H2 reduction of Cu(hfac)2 was studied by atomic force microscopy and scanning electron microscopy. The growth mode of Cu nucleus is initially Volmer-Weber mode (island), and then transforms to Stranski-Rastanov mode (layer-by-layer plus island).The mechanism of Cu nucleation on silicon (100) substrates was further investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. From Cu2p, O1s, F1s, Si2p patterns, the observed C=O, OH and CF3/CF2 should belong to Cu(hfac) formed by the thermal dissociation of Cu(hfac)2. H2 reacts with hfac on the surface, producing OH. With its accumulation, OH reacts with hfac, forming HO-hfac, and desorbs, meanwhile, the copper oxide is reduced, and thus the redox reaction between Cu(hafc)2 and H2 occurs.     

基于模糊综合评价的DEA方法在心理战评估中的应用研究

根据心理战特点,将模糊综合评价方法和模糊DEA方法结合起来,建立了心理战效果评估和战法方案选择评价模型,并给出一个案例验证了模型的正确性.     

基于生产前沿面的DEA有效单元再评价研究

对基于生产前沿面的DEA有效单元评价方法进行了研究.在分析总结当前基于优势前沿面和基于临界前沿面两种方法优缺点的基础上,提出了基于劣势前沿面的评价方法.新方法在分辨率和可比性方面进行了改进.     

单晶硅上化学气相沉积铜薄膜的机理研究

在自行设计、建立的MOCVD系统上,以Cu(hfac)2为反应前驱物在单晶硅上进行铜薄膜的化学气相沉积,并用AFM、SEM对铜核的成长机理进行了研究．结果表明,反应初期,单晶硅上铜核的成长为岛状,反应后期为先层状后岛状．利用XPS对铜薄膜成长的反应机理进行了探讨,由薄膜的Cu2p、Ols、Fls、Si2p谱可推论出,XPS谱中所出现的C=O、OH及CF3／CF2可能为Cu(hfac),当Cu(hfac)2在高温下分解成Cu(hfac)及hfac后,H2还原表面的hfac生成OH基,反应进行一段时间,OH基浓度大到一定的程度后,与Cu(hfac)2热裂解产生的hfac作用生成HO-hfac并脱附,使表面的铜的氧化物被还原以及发生Cu(hfac)2与H2的氧化还原反应．