边长为微米级的银纳米片的简易合成与形成机理

用低温(60 ℃)溶剂热法, 以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为主还原剂和溶剂, 以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为辅助还原剂和晶面生长控制剂, 以硝酸银为前驱物, 大量制备了高纯度的、边长为微米级、宽厚比≥10的单晶银纳米片. 采用粉末X射线衍射(PXRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)等表征和分析了合成产物的成分、形貌和结构. 结果表明, 合成的银纳米片为面心立方单晶, 边长为1-4 μm, 厚度为50-100 nm. 考察了不同溶剂对银纳米结构的影响, 并提出了大尺寸的银纳米片的形成机理. 本文为调控单晶银纳米片的边长和宽厚比提供了一种新的可靠的动力学方法, 制备的长边长、大宽厚比的单晶银纳米片在聚合物基导电复合材料和电磁屏蔽材料方面有潜在的重要应用.     

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用低温(60℃)溶剂热法,以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为主还原剂和溶剂,以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为辅助还原剂和晶面牛长控制剂,以硝酸银为前驱物,大量制备r高纯度的、边长为微米级、宽厚比≥10的单晶银纳米片.采用粉末X射线衍射(PXRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)等表征和分析了合成产物的成分、形貌和结构.结果表明,合成的银纳米片为面心立方单晶,边长为1-4μm,厚度为50-100nm.考察了不同溶剂对银纳米结构的影响,并提出了大尺寸的银纳米片的形成机理.本文为调控单晶银纳米片的边长和宽厚比提供了一种新的可靠的动力学方法,制备的长边长、大宽厚比的单晶银纳米片在聚合物基导电复合材料和电磁屏蔽材料方面有潜在的重要应用.     

金属性Ni3N纳米粒子的制备与乙二醇电氧化性能

利用小分子电催化氧化反应耦合水解制氢不仅有助于降低阳极反应过电位,提高析氢反应(HER)效率,而且产生高附加值的化学品,是提升电催化水分解性能的有效策略.其关键是开发具有高导电性和低氧化电位的非贵金属电催化剂.以Ni(OH)₂纳米片为前驱物,通过退火氮化工艺,制备了具有低氧化电位和高导电性的金属相Ni₃N纳米颗粒(Ni₃N-NPs).与Ni(OH)₂相比,Ni₃N-NPs具有较小的法拉第电阻,更低的氧化电位(1.36 V时达到10 mA·cm^-2),较小的Tafel斜率(29 mV·dec^-1),表现出更好的乙二醇(EG)电催化氧化性能.在1.36 V时,Ni₃N-NPs电催化氧化EG生成甲酸盐的法拉第效率高达91.16%.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)对反应前后Ni₃N-NPs结构进行详细表征发现,在电催化EG氧化过程中,Ni₃