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1.
建立了蔬菜中19种农药残留的快速测定方法。蔬菜样品用乙腈-甲酸均质提取,经三氯甲烷液-液萃取,溶剂转换后加入甲苯作为保护剂;经N-丙基乙二胺(PSA)、石墨化碳黑(GCB)净化,液相色谱-串联质谱(LC-MS/MS)正离子源(ESI+)、多反应监测模式(MRM)测定,基质匹配标准工作曲线定量。蔬菜样品基质在50~1 000ng/mL浓度范围内线性关系良好(r20.99)。在0.01、0.02、0.04mg/kg添加浓度水平下,各农药回收率在65.4%~120.0%之间,相对标准偏差(RSD)在3.35%~17.46%之间。实验发现QuEChERS各吸附剂对极性和化学结构不同农药的吸附作用有所不同,进一步通过正交试验设计的优化,得到了一组极性有差异和化学结构不同的农药净化用吸附剂和保护剂的组合方式。 相似文献
2.
非线性转子系统的分叉 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用非线性动力学的分析方法,研究了非线性挤压油膜阻尼器支承的柔性转子系统中的分叉特性 相似文献
3.
本文研究了以超临界CO2布雷登循环为原动机的热电联供系统,对系统主要运行参数进行了分析,得到运行参数对于系统热力学性能和经济性能的影响规律。同时,以一次能源利用率和单位输出成本作为目标函数,采用多目标遗传算法对系统进行了优化;在优化结果的基础上,通过TOPSIS法决策出最优解,并与单目标最优解进行对比。结果表明,透平进口温度、透平进口压力和压缩机进口温度的增大有利于系统效率的提高;作为代价,成本也相应增加。在热电比0~4范围内,尽可能增大热电比能够最大程度上降低系统的单位输出成本,提高能源的利用率。 相似文献
4.
5.
6.
7.
2MeV有箔注入器的束流调试 总被引:1,自引:1,他引:0
为20MeV LIA建造的2MeV注入器的束流技术指标经过一年多实验调试已达到能量2MeV、束流3kA、亮度大于或等于10^8A/(m.rad)^2。建立了二维数字模型,对注入器的电子发射和束流传输过程进行了模拟,用模拟结果指导实验调试,并同实验结果进行对照,重点分析了有箔情况下自有的聚焦作用。 相似文献
8.
用差示扫描量热分析研究了间规聚苯乙烯(sPS)的非等温结晶及其动力学,并分别用Ozawa和Jeziorny两种方法来处理sPS的非等温结晶数据.结果表明,在25~40℃/min的冷却速率范围内,sPS的半结晶时间随冷却速率增大而呈指数式下降,sPS非等温结晶过程遵循Ozawa动力学方程,但不符合Jeziorny方法中的Avrami动力学方程.所得到的sPS非等温结晶Avrami指数n在36~41之间,高于等温结晶时的n值 相似文献
9.
利用对氧缺陷的TiO2-B材料进行密度泛函理论的计算,阐述了氧空穴对于TiO2-B材料的电化学性质的影响。计算研究主要聚焦于缺陷材料的锂离子迁移和电子导电性等基本问题。计算结果表明在低锂离子浓度下(x(Li/Ti)≤ 0.25),相比于无缺陷的TiO2-B,氧缺陷TiO2-B有着更高的插入电压和更低的b轴方向迁移活化能,意味着锂离子的嵌入也更容易,这对于可充电电池的充电过程是有利的。而在高浓度下(x(Li/Ti) = 1),锂饱和的氧缺陷TiO2-B相较于无缺陷的TiO2-B有着较低的插入电压,更有利于锂离子的脱嵌过程,这对于可充电电池的放电过程也是有利的。电子结构计算表明缺陷材料的禁带宽度在1.0-2.0 eV之间,低于无缺陷的材料的3.0 eV。主要态密度贡献者是Ti-Ov-3d,并且随着氧空穴的增加它的强度也变得更强。这就表明氧缺陷TiO2-B有更好的电子导电性。 相似文献
10.
The degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor under step-stress 下载免费PDF全文
Step-stress experiments are performed in this paper to investigate the degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT).It is found that the stress current shows a recoverable decrease during each voltage step and there is a critical voltage beyond which the stress current starts to increase sharply in our experiments.We postulate that defects may be randomly induced within the AlGaN barrier by the high electric field during each voltage step.But once the critical voltage is reached,the trap concentration will increase sharply due to the inverse piezoelectric effect.A leakage path may be introduced by excessive defect,and this may result in the permanent degradation of the AlGaN/GaN HEMT. 相似文献