首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   1篇
  国内免费   22篇
化学   22篇
物理学   8篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2014年   2篇
  2012年   1篇
  2011年   2篇
  2010年   1篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   2篇
  2001年   2篇
  1999年   3篇
  1998年   2篇
  1996年   1篇
  1992年   2篇
  1990年   2篇
  1989年   1篇
  1985年   2篇
  1984年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有30条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
液体折射率的一种新型测量方法   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
利用液体薄膜的遮光效应原理,建立了一种新的测量液体折射率的方法和装置。选择了3种常见液体:蒸馏水 、无水乙醇 和1,2-丙二醇。利用新建的装置对其折射率进行了测量。实际测量过程中,对实验形成的图样进行了2种测量分析:一种是利用读数显微镜直接测量分析实验结果;一种是利用CCD拍摄记录实验结果,并利用计算机对拍摄结果进行了智能化处理分析。分析了实验误差,实现了实时、全自动化测量。测量结果均与理论值吻合。该方法操作简便、设备简单、重复性好、准确度高。  相似文献   
2.
采用pH5.0和浓度为0.28M的α-羟基异丁酸为淋洗剂,强酸性阳离子交换色层法,分难富集高纯氧化镧中的14个稀土杂质元素。分离可在11小时内完成。稀土杂质富集物用复合载体 CsCl-聚氯乙烯碳粉吸附,发射光谱分析。加入回收实验的平均回收率为86~119%。此法可用于纯度为99.9995%的高纯氧化镧分析。  相似文献   
3.
In our previous work we have found that the 2223 phase is formed more rapidly and the structural stability can be enhanced by doping high valence cation(Sn~(4+)、Sb~(5+)、V~(5+)、W~(6+)、Mo~(6+) etc.) in the Bi(Pb)SrCaCuO system. In this paper the effects of high valence cations doped on the phase formation and the crystal structure are discussed further.The Aurivillus building and rocksalt building unit coexist in the Bi double layers. The structural variety strongly affects the structural stability. Owing to Pb~(2+) addition the probability of Aurivillus building is increased, the stability of 2223 phase can be promoted. However, the structure is still not stable, since the addition of Pb~(2+) has decreased the valence state of Bi site and the oxygen positions are not fully occupied. By doping high valence cation, especially, when the valence of Pb_x~(2+)M_y~(n+) equals to +3 the structure of the 2223 phase can be stabilized. This result has been observed with examining elemental content of 2223 phase.The melting point of the grain boundaries are much lower after doping high valence cations, therefore the ion diffusion is more rapid and acceleration of the 2223 phase formation is observed.  相似文献   
4.
用CO作为探针研究CeO。的表面性质,以及研究CO和CO。与CeO。的相互作用,已有不少报导[‘-’1.Br。ysse等人发现CO在CeO。上的吸附,总伴随着催化剂的还原和COZ的生成;CO。在CeO。上的吸附不总是可逆的,CO。的存在会降低其对CO的催化氧化活性,对反应有抑制的影响,甚至会使表面中毒问.也有报导在CO或COZ气氛下,有证据表明CeO。有不利干活性的碳酸盐物种形成;反应中生成的C()。也可能吸附在表面上形成稳定的碳酸盐,从而抑制反应的继续进行k‘].*0。对O;-O-()催化剂在催化氧化以)中的影响报导比较少问.…  相似文献   
5.
Sunshine等在BiSrCaCuO体系掺入Pb~(2+)取代部分Bi,经较长时间灼烧后.获得T_(c(0))?110 K以2223相为主的样品,Hongbao等又报导了用Sb部分取代Bi(Pb)SrCaCuO体系中的Bi的研究结果.我们曾用Sb~(5+)、Sn~(4+)、W~(6+)、Mo~(6+)等高价离子部分取代Bi,研究这些离子对BiSrCaCuO体系成相的影响,发现掺高价离子后2223相易于生成并易于得到T_(c(0))?111K的超导体.本文则进一步探讨高价离子掺入的影响及其加速2223相生成的原因。  相似文献   
6.
当激光束通过静态液体薄膜时,由于表面的全反射效应能够观察到液体薄膜的遮光效应.在此基础上,以白光为光源研究了液体薄膜的遮光效应.结果显示,白光光源的遮光图样非常清晰,且无激光散斑效应|遮光图样的中心是一个光强极强的亮域,该区域的外部为两个同心的环状暗场,两个暗场之间是亮场,亮暗边界十分清楚|液体薄膜遮光图样的半径大小与液体的折射率有关,液体折射率越大,遮光图样的半径越大.本文给出了液体薄膜遮光半径与液体折射率的解析关系,分析了遮光图样产生的必要与充分条件,并根据液体薄膜的遮光效应,建立了一种测量液体折射率的新方法,测量了纯净水的折射率.结果表明,该测量值与传统方法所测折射率的值相吻合且该方法具有设备简单、操作简便、重复性好、准确度高等特点.  相似文献   
7.
CO2对Cu-Ce-O催化剂催化氧化CO活性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
8.
本实验测量了~(238)U(5.4MeV/u)轰击~(48)Ca、~(45)Sc靶和~(238)U(6.0MeV/u)轰击~(16)O、~(27)A1、~(48)Ca、~(45)sc、~(48)Ti、~(58)Fe、~(64)Ni及~(89)Y靶等10个反应系统的三体碎片符合出射道。得到了跟随裂变截面、总动能损失、碎片动能和质量分布以及碎片在第一质心与第二质心的角分布等。实验用了4片200ram×300mm的双维位敏雪崩计数器,给出了关联的空间位置信息与飞行时间。三体事件用运动学直接求解,其中识别裂变对碎片是基于该对之间相对速度为2.4cm/ns的事实。探测几何效率用蒙特卡罗模拟计算来确定。实验表明,跟随裂变源于准弹性散射,其截面σ_(S·F)较大,对于~(27)Al靶,σ_(S·F)为总截面的15%,而~(89)Y靶为70%。同时发现,对于幻核靶,σ_(S·F)与索末费尔得参数之间有简单的线性关系。  相似文献   
9.
掺入Ni2+的LiCoO2结构与电化学性能的研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
对LixCo1-yNiyO2-δ系列化合物(x=1),0<y<0.5)的合成条件和它们的非完整结构及其电化学性能间的关系进行了较系统的研究,结果表明Ni2+掺入ABO2型的化合物中,在取代了Co离子的同时,也以一定的几率分布在A位.并使结构中的A,B和O位都出现一定程度的空位在这种非完整结构中,Co离子具有超高常的平均价态,同时也使Li(Ni)-O和O-O的间距加大,提高了该系列化合物的电导及电池的比容量.  相似文献   
10.
CO催化氧化中氧化铜对CeO2的调变作用   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用柠檬酸络合法制备并应用XRD、ICP和微反活性等方法研究了Cu-Ce-O催化剂体系,当体系中铜含量较少,焙烧温度较低时,以萤石矿型结构存在,CuO掺杂进入CeO2的晶格中;当铜含量较多,焙烧温度较高时,除了以萤石矿型结构存在外,还伴随有单斜晶系CuO的生成,焙烧温度高达1000℃时,体系无其它结构型式的晶相形成,研究发现少量的CuO使体系催化氧化CO的活性大大提高;只有极少量的CuO进入CeO2的晶格内部,该催化剂最佳配方是Cu/(Cu+Ce)原子百分比为15%,700℃焙烧4h,其中起高催化氧化作用的是由CuO掺杂调变而成的萤石矿型复合氧化物,其组成为Cu0.06Ce0.94O1.94。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号