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1.
InGaAs薄膜电共沉积研究
李浴春
王喜莲
韩竞科
韩爱珍
高元恺
杨志伟
《电化学》
2000,6(4):463-468
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3~ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .
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