油溶非对称取代酞菁铜的合成、表征及LB膜

本文以邻苯二甲酰亚胺为原料,合成了两种新的非对称取代酞菁铜配合物:4-(对羧基苯氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(Ⅳ)和4-(邻氨基苯氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜(Ⅴ)。并经元素分析、红外光谱、核磁共振谱、质谱、顺磁共振谱及紫外光谱,对其结构进行了表征。两种配合物都易溶于二氯甲烷、氯仿和甲苯等有机溶剂,不溶于水。配合物的氯仿溶液能在水面上展开形成单分子膜。π-A曲线测定表明,配合物在亚相液面(水)上,随着表面压力的增大,膜面积连续不停地减少,有明显的“气”“固”变化过程,表明配合物能形成较好的LB膜。分子在膜中主要以倾斜的方式排列。以Z型累积方式沉积于金制梳状电极上的LB膜能导电,属于半导体材料,碘掺杂可改善膜的电导。膜电极的气敏特性研究发现,配合物对氨气有专一的气敏特性,氨气浓度为33ppm时即有响应,且灵敏度高。     

常温SnO_2-α-Fe_2O_3气敏元件制备

用a-Fe_2O_3研制成的加热式气敏元件功耗大(约1.5W)。常温SnO_2-a-Fe_2O_3气敏元件功耗低(约0.1W),灵敏度高,响应恢复快,稳定,具有一定选择性。 气敏元件制备方法:按62.5％,6.2％和31.3％称取SnO_2,a-Fe_2O_3和硅胶,加水研磨2小时,使其呈浆糊状,点入模具内,放入一对φ0.05mm铂丝电极,晾干,脱模,在860～890℃空气中烧结95分钟。     

Cr的沉积速度对Cr-MIS太阳电池性能的影响

实验证明快速沉积Cr的功函数比缓慢沉积Cr的功函数低,平均值为3.99eV,这样低的功函数可以控制开路电压在0.51—0.56V,用快速沉积方法可降低Cr的方块电阻,因此省去为了降低Cr的方块电阻的Cu层,以及为了防止Cu层氧化的Cr层,简化了工艺。快速沉积Cr的制备的无Cu层Cr-MIS太阳电池在AM_1.5(100mW/cm₂)下转换效率达到12%(按有效面积计)。