沉淀法制备Sm3+,Er3+与Nd3+一次共掺杂的BaTiO3基半导体陶瓷电容器

在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf·cm-2电性能参数.     

锶铝比对稀土掺杂铝酸锶物相及发光性能的影响

用拟薄水铝石溶胶凝胶法成功制备了SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 长余辉发光材料，样品无需球磨。XRD结果表明：当锶铝摩尔比Sr／Al＞0．3时，发光基质主相为SrAl2O4，杂质相为Sr4Al2O7，Sr／Al比值继续降低至0．25，发光相则以Sr4Al14O25为主，此时杂质相中含有Sr4Al2O7和Dy4Al2O9。Sr4Al2O7相对SrAl2O4：Eu^3 ，Dy^3 的发光性能影响很大，而对Sr4Al14O25：Eu^2 ，Dy^3 的发光性能影响不大。Dy4Al2O9对SrAl2O4和Sr4Al14O25发光主相的发光性能影响都不大。光谱检测结果表明SrAl2O4：Eu^2 ，Dy^3 发光光谱是中心位于520nm的带状谱。余辉检测结果表明发光主相为SrAl2O4和Sr4Al14O25时，光衰曲线符合I=ct^-n规律，n值分别为n=1．081和n=1．079。