| 沉淀法制备Sm3+,Er3+与Nd3+一次共掺杂的BaTiO3基半导体陶瓷电容器 |
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| 引用本文： | 柴艮风,施哲,陈玉林,李春花.沉淀法制备Sm3+,Er3+与Nd3+一次共掺杂的BaTiO3基半导体陶瓷电容器[J].中国稀土学报,2006,24(Z1):96-101. |
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| 作者姓名： | 柴艮风 施哲 陈玉林 李春花 |
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| 作者单位： | 昆明理工大学材料与冶金学院,云南,昆明,650093 |
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| 摘 要： | 在共沉淀法的基础上,通过双施主不同浓度的Nd3+和Sm3+,Er3+(4.0%～5.0%)掺杂,研究了BaTiO3基表面型陶瓷电容器的电性能,结果表明,Sm3+和Er3+的掺杂可以提高居里温度,但使介电常数降低,其含量为25%时可获得绝缘电阻500 MΩ左右,C/S为0.5895μf·cm-2电性能参数.
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| 关 键 词： | 共沉淀法 半导体陶瓷电容器 施主掺杂 稀土 |
| 文章编号： | 1000-4343(2006)-0096-06 |
| 修稿时间： | 2006年3月10日 |
Semiconductive Ceramic Capacitor Based BaTiO3 Synthesized with Coprecititation Doped with Nd3+ and Sm3+ or Er3+ |
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| Chai Genfeng,Shi Zhe,Chen Yulin,Li Chunhua.Semiconductive Ceramic Capacitor Based BaTiO3 Synthesized with Coprecititation Doped with Nd3+ and Sm3+ or Er3+[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2006,24(Z1):96-101. |
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| Authors: | Chai Genfeng Shi Zhe Chen Yulin Li Chunhua |
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