伯胺N1923萃淋树脂吸萃AgNO3的性能及机理的研究

本文研究了伯胺Ｎ１９２３萃淋树脂的合成方法和此萃淋树在酸性体系中吸萃ＡｇＮＯ３性能及不同因素对其静态分配比的影响，通过多种方法确定其萃合物的组成为Ａｇ（ＲＮＨ２）２ＮＯ３并用红外光谱探讨了该萃淋树脂吸萃ＡｇＮＯ３的机理。     

人原始生殖细胞的分离和体外培养

从4～10周龄药物流产胚胎的生殖嵴和肠系膜组织中分离原始生殖细胞(primordial germ cells,PGCs),培养在添加人重组白血病抑制因子(rh LIF)、人重组碱性成纤维细胞生长因子(rh bFGF)和Forskolin的小鼠饲养层细胞上.经过4～7 d培养,PGCs形成典型的鸟巢状集落.集落在传代过程中保持碱性磷酸酶活性,且胚胎阶段性特异抗原1(SSEA-1)、胚胎阶段性特异抗原3(SSEA-3)免疫荧光染色呈阳性.具有分化潜能的PGCs能在体外连续传代培养12代.结果表明从药物流产胚胎中分离的人类PGCs可以在体外培养成为具有分化潜能的多能性干细胞.     

Cr/MgO催化剂上乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈的研究

用浸渍法制备了系列MgO负载过渡金属氧化物催化剂，比较了这些催化剂的催化性能，详细考察了Cr／MgO催化剂的活性组份含量、焙烧温度及反应温度等因素对乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈的影响。结果表明，对于Cr／MgO催化剂，当负载量3％时催化性能最佳，过高的负载量对生成丙烯腈的选择性影响不大，但乙腈转化率呈下降趋势，焙烧温度对生成丙烯腈选择性的影响不大，但经600℃焙烧的催化剂乙腈转化率最高，随着反应温度提高，乙腈转化率提高，而生成丙烯腈选择性400℃左右出现最高值，CO2-TPD表明，催化剂强吸附碱中心越多，越有利于乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈反应，Cr／MgO催化剂中引入Na2O后，提高了乙腈的转化率，而生成丙烯腈的选择性降低。     

“地沟油”的检测方法

介绍了地沟油的几种检测方法:胆固醇含量测定法,电导率测定法,十二烷基苯磺酸钠测定法,挥发性有害成分测定法。简述了地沟油的含义、危害和治理方法。     

液态锂综合实验平台中液态锂流面与氩等离子体相互作用

介绍了由锂回路、直线等离子体装置及液态锂净化系统等组成的液态锂综合实验回路平台。研究了液态锂与高密度等离子体相互作用、液态锂与结构材料相容性、液态锂净化和液态锂回路热工水力学参数测量等问题。实验结果表明,流动液态锂的蒸发速率与放电电流、氩气流量及磁场强度呈正相关关系。由流动液态锂产生的锂蒸气在轴向分布不具规律性,在径向分布呈高斯分布。流动液态锂的蒸发速率随着实验时间的增长逐渐升高,并趋于稳定。磁场抑制了液态锂的流动性。在磁场和等离子体长时间的作用下,流动液态锂表面生成一层很薄的氧化锂。     

Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering

A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G （ε0εrEb） of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices.     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

从高质量半导体/超导体纳米线到马约拉纳零能模

作为马约拉纳费米子的“凝聚态版本”,马约拉纳零能模是当前凝聚态物理领域的研究热点.马约拉纳零能模满足非阿贝尔统计,可以构建受拓扑保护的量子比特.这种由空间上分离的马约拉纳零能模构建的拓扑量子比特不易受局域噪声的干扰,具有长的退相干时间,在容错量子计算中具有重要的应用前景.半导体/超导体纳米线是研究马约拉纳零能模和拓扑量子计算的理想实验平台.本文综述了高质量半导体纳米线外延生长、半导体/超导体异质结制备以及相应的马约拉纳零能模研究方面的进展,并对半导体/超导体纳米线在量子计算中的应用前景进行了展望.